[發(fā)明專利]電子部件用金屬材料及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280045596.6
• 申請日: 2012-09-10
• 公開（公告）號: CN103814158B
• 公開（公告）日: 2017-02-08
• 發(fā)明（設計）人: 澀谷義孝;深町一彥;兒玉篤志
• 申請（專利權）人: JX日礦日石金屬株式會社
• 主分類號: C25D7/00
• 分類號: C25D7/00;B32B15/01;B32B15/04;C22C5/02;C22C5/04;C22C5/06;C22C5/08;C22C5/10;C22C9/00;C22C9/02;C22C9/04;C22C9/05;C22C9/06;C22C13
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 童春媛,孟慧嵐

1.?一種具有低晶須性和高耐久性的電子部件用金屬材料，其具備：

基材，

構成所述基材的最表層，由Sn、In或它們的合金形成的A層，和

設置于所述基材與A層之間，構成中間層，由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir或它們的合金形成的B層，

所述最表層(A層)的厚度為0.002~0.2μm，

所述中間層(B層)的厚度為0.001~0.3μm。

2.?一種具有低晶須性和高耐久性的電子部件用金屬材料，其具備

基材，

構成所述基材的最表層，由Sn、In或它們的合金形成的A層，和

設置于所述基材與A層之間，構成中間層，由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir或它們的合金形成的B層，

所述最表層(A層)的Sn、In的附著量為1~150μg/cm²，

所述中間層(B層)的Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir的附著量為1~330μg/cm²。

3.?權利要求1或2的電子部件用金屬材料，其中，所述最表層(A層)的合金組成為：Sn、In或Sn與In的合計為50質量%以上，剩余合金成分由選自Ag、As、Au、Bi、Cd、Co、Cr、Cu、Fe、Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、W、Zn的1種或2種以上的金屬構成。

4.?權利要求1~3中任一項的電子部件用金屬材料，其中，所述中間層(B層)的合金組成為：Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir或者Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os和Ir的合計為50質量%以上，剩余合金成分由選自Bi、Cd、Co、Cu、Fe、In、Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、Se、Sn、W、Tl、Zn的1種或2種以上的金屬構成。

5.?權利要求1~4中任一項的電子部件用金屬材料，其中，所述最表層(A層)表面的維氏硬度為Hv300以上。

6.?權利要求1~5中任一項的電子部件用金屬材料，其中，作為通過超微硬度試驗以0.1mN的負荷對所述最表層(A層)的表面壓入壓頭而測得的硬度，所述最表層(A層)表面的壓痕硬度為2500MPa以上。

7.?權利要求1~6中任一項的電子部件用金屬材料，其中，所述最表層(A層)表面的維氏硬度為Hv1000以下，具有高彎曲加工性。

8.?權利要求1~7中任一項的電子部件用金屬材料，其中，作為通過超微硬度試驗以0.1mN的負荷對所述最表層(A層)的表面壓入壓頭而測定的硬度，所述最表層(A層)表面的壓痕硬度為10000MPa以下，具有高彎曲加工性。

9.?權利要求1~8中任一項的電子部件用金屬材料，其中，所述最表層(A層)表面的算術平均高度(Ra)為0.1μm以下，耐氣體腐蝕性更優(yōu)異。

10.?權利要求1~9中任一項的電子部件用金屬材料，其中，所述最表層(A層)表面的最大高度(Rz)為1μm以下，耐氣體腐蝕性更優(yōu)異。

11.?權利要求1~10中任一項的電子部件用金屬材料，其中，所述最表層(A層)表面的反射密度為0.3以上，耐氣體腐蝕性更優(yōu)異。

12.?權利要求1~11中任一項的電子部件用金屬材料，其中，當通過XPS?(X射線光電子光譜法)進行Depth分析時，所述最表層(A層)的Sn或In的原子濃度(at%)示出最高值的位置(D₁)，所述中間層(B層)的Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os或Ir的原子濃度(at%)示出最高值的位置(D₂)自最表面起按D₁、D₂的順序存在。

13.?權利要求1~12中任一項的電子部件用金屬材料，其中，當通過XPS?(X射線光電子光譜法)進行Depth分析時，所述最表層(A層)的Sn或In的原子濃度(at%)的最高值為10at%以上。

14.?權利要求1~13中任一項的電子部件用金屬材料，其中，當通過XPS?(X射線光電子光譜法)進行Depth分析時，所述中間層(B層)的Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os或Ir的原子濃度(at%)的最高值為10at%以上。