[發(fā)明專利]含有稀土金屬的鋯預(yù)處理組合物、處理金屬基材的相關(guān)方法和相關(guān)的涂覆的金屬基材

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280045485.5
• 申請日: 2012-05-29
• 公開（公告）號: CN103814156B
• 公開（公告）日: 2019-05-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: N·J·西爾弗奈爾;M·W·麥克米倫;程姍
• 申請（專利權(quán)）人: PPG工業(yè)俄亥俄公司
• 主分類號: C23C22/50
• 分類號: C23C22/50;C23C22/53;C23C22/56;C23C22/74;C23C22/83;B05D7/14
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 孫悅

1.一種用于處理金屬基材的預(yù)處理組合物，其包含：(a)可溶性稀土金屬化合物，(b)氧鋯基化合物，和(c)基于元素金屬不大于500ppm的正電性金屬，其中該預(yù)處理組合物中來自于所述氧鋯基化合物的鋯與來自于所述可溶性稀土金屬化合物的稀土金屬之比為200/1至1/1，所述預(yù)處理組合物無游離氟離子，并且所述預(yù)處理組合物與所述金屬基材接觸而與基材表面反應(yīng)和化學(xué)改變該基材表面，并且結(jié)合到它上來形成保護性層。

2.權(quán)利要求1的預(yù)處理組合物，其中所述氧鋯基化合物(b)包含硝酸氧鋯、乙酸氧鋯、碳酸氧鋯、質(zhì)子化的堿式碳酸鋯、硫酸氧鋯、氯氧化鋯、碘氧化鋯、溴氧化鋯或它們的混合物。

3.權(quán)利要求1的預(yù)處理組合物，其進一步包含：(c)IVB族和/或VB族金屬。

4.權(quán)利要求1的預(yù)處理組合物，其中所述稀土金屬(a)包括釔、鐠、鈰、或它們的混合物。

5.權(quán)利要求1的預(yù)處理組合物，其中所述稀土金屬(a)的來源包括稀土金屬化合物。

6.權(quán)利要求5的預(yù)處理組合物，其中所述稀土金屬化合物包括釔、鈰、鐠的化合物或它們的混合物。

7.權(quán)利要求1的預(yù)處理組合物，其中該預(yù)處理組合物中來自所述氧鋯基化合物的鋯的量為10ppm-5000ppm。

8.權(quán)利要求3的預(yù)處理組合物，其中該預(yù)處理組合物中來自所述氧鋯基化合物和來自所述IVB族和/或VB族金屬的金屬的量為10ppm-5000ppm。

9.一種用權(quán)利要求1的預(yù)處理組合物處理的金屬基材。

10.一種用權(quán)利要求3的預(yù)處理組合物處理的金屬基材。

11.一種處理金屬基材的方法，其包括：

(a)將該金屬基材與包含可溶性稀土金屬化合物，氧鋯基化合物，和基于元素金屬不大于500ppm的正電性金屬的預(yù)處理組合物接觸，其中所述預(yù)處理組合物中來自于所述氧鋯基化合物的鋯與來自于所述可溶性稀土金屬化合物的稀土金屬之比為200/1至1/1，所述預(yù)處理組合物無游離氟離子，并且所述預(yù)處理組合物與所述金屬基材接觸而與基材表面反應(yīng)和化學(xué)改變該基材表面，并且結(jié)合到它上來形成保護性層。

12.權(quán)利要求11的方法，其中在沒有預(yù)先施用正電性金屬的情況下將所述預(yù)處理組合物與該金屬基材接觸。

13.權(quán)利要求11的方法，其中所述預(yù)處理組合物進一步包含IVB族和/或VB族金屬和/或(d)正電性金屬。

14.權(quán)利要求11的方法，其進一步包括在步驟(a)之后將涂料組合物電泳沉積到該金屬基材上。