[發明專利]與納米結構區域的電接觸

無效

• 申請號: 201280045443.1
• 申請日: 2012-09-19
• 公開（公告）號: CN104145323A
• 公開（公告）日: 2014-11-12
• 發明（設計）人: 馬西·R·布萊克;喬安妮·福齊亞蒂;邁克爾·朱拉;杰夫·米勒;布賴恩·默菲;亞當·斯坦德利
• 申請（專利權）人: 班德加普工程有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/20;H01L21/205
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 周李軍;萬雪松

1.?一種方法，所述方法包括：(a)提供在表面上具有納米結構材料的基片；(b)從所述表面的選擇部分去除所述納米結構材料；和(c)在從中去除了所述納米結構材料的表面部分內沉積電觸點。

2.?一種方法，所述方法包括：(a)提供在表面上具有納米結構材料的基片，所述基片為導電性，并且所述納米結構材料用電絕緣材料涂覆；(b)從所述表面的選擇部分至少部分地去除所述納米結構材料和電絕緣材料；和(c)以使得所述導體通過已至少部分去除所述納米結構材料和絕緣材料的所述表面部分與所述基片電接觸的方式，在所述基片上沉積導體。

3.?權利要求2的方法，其中所述基片和所述納米結構材料包含硅。

4.?權利要求3的方法，其中所述納米結構材料包含多孔硅。

5.?權利要求2的方法，其中所述納米結構材料包含納米線。

6.?權利要求2的方法，其中所述絕緣材料包含二氧化硅。

7.?權利要求2的方法，其中所述絕緣材料包含氧化鋁。

8.?權利要求2的方法，其中去除所述納米結構材料和絕緣材料的步驟包括對其上布置所述納米結構材料的表面部分施加機械力。

9.?權利要求8的方法，其中所述施加機械力的步驟擦劃所述表面。

10.?權利要求8的方法，其中所述施加機械力的步驟包括使所述表面與包含比所述基片材料軟的材料的物體接觸。

11.?權利要求8的方法，其中所述施加機械力的步驟包括使所述表面與包含鋁的物體接觸。

12.?權利要求2的方法，其中所述去除納米結構材料和絕緣材料的步驟包括加熱或冷卻。

13.?權利要求12的方法，其中所述加熱采用跨所述表面掃描的激光來進行。

14.?權利要求12的方法，其中所述加熱產生快速局部膨脹。

15.?權利要求2的方法，其中步驟(c)包括電沉積或無電鍍。

16.?權利要求2的方法，其中所述沉積的導體在步驟(b)未去除納米結構材料的表面部分與所述基片沒有電接觸。

17.?權利要求2的方法，其中所述沉積的導體不含銀。

18.?權利要求2的方法，其中所述沉積的導體包含鎳。

19.?權利要求2的方法，其中所述沉積導體的步驟包括物理沉積過程。

20.?權利要求19的方法，其中所述物理沉積過程包括濺射或蒸發。

21.?權利要求2的方法，其中步驟(c)包括絲網印刷。

22.?權利要求2的方法，所述方法進一步包含在步驟(c)后進行的去除所有或大部分所述納米結構材料的步驟。

23.?權利要求5的方法，其中所述納米結構材料包含納米線陣列。

24.?權利要求8的方法，其中所述施加機械力的步驟包括使所述表面與在所述表面上留下材料的物體接觸。

25.?權利要求15的方法，其中所述電沉積包括電鍍。

26.?權利要求2的方法，其中所述提供的基片在兩個相反表面上具有納米結構，并且其中步驟(b)和(c)在所述兩個相反表面的每一個上進行。

27.?權利要求2的方法，其中所述絕緣材料提供鈍化。

28.?一種光電裝置，所述光電裝置包括：(a)基片；(b)在所述基片第一表面上的納米結構區域；(c)在所述第一表面上面的電絕緣層；(d)所述納米結構區域的區段，其中所述納米結構至少部分被破壞或去除；(e)在所述區段上面的任選的覆蓋層；和(f)在所述絕緣層和任選的覆蓋層上面的導體。

29.?權利要求28的光電裝置，其中所述覆蓋層包含鋁。

30.?權利要求28的光電裝置，其中所述絕緣層包含氧化鋁。

31.?權利要求28的光電裝置，其中所述區段包括柵格形狀。