[發明專利]復合基板的制造方法及復合基板

無效

• 申請號: 201280045370.6
• 申請日: 2012-09-21
• 公開（公告）號: CN103814437A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發明（設計）人: 高田朋幸;山田永;秦雅彥;前田辰郎;板谷太郎;安田哲二
• 申請（專利權）人: 住友化學株式會社;獨立行政法人產業技術綜合研究所
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L21/02;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/28;H01L27/08;H01L27/092;H01L27/095;H01L27/12;H01L29/417;H01L29/786
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 齊秀鳳

1.一種具備半導體結晶層的復合基板的制造方法，包括：

在半導體結晶層形成基板上按照犧牲層、半導體結晶層的順序形成所述犧牲層及所述半導體結晶層的步驟；

將所述半導體結晶層形成基板與轉印目的基板相貼合，使得作為形成于所述半導體結晶層形成基板上的層的表面的第一表面與作為所述轉印目的基板或形成于所述轉印目的基板上的層的表面并要與所述第一表面相接觸的第二表面相面對的步驟；以及

將所述半導體結晶層形成基板及所述轉印目的基板的全部或一部分浸漬于刻蝕液中對所述犧牲層進行刻蝕，在使所述半導體結晶層保留在所述轉印目的基板側的狀態下將所述轉印目的基板與所述半導體結晶層形成基板相分離的步驟；

所述轉印目的基板具有非柔性基板和有機物層，所述有機物層的表面為所述第二表面。

2.一種具有半導體結晶層的復合基板的制造方法，包括：

在半導體結晶層形成基板上按照犧牲層、半導體結晶層的順序形成所述犧牲層及所述半導體結晶層的步驟；

在所述半導體結晶層上形成由有機物構成的粘合層的步驟；

將所述半導體結晶層形成基板與轉印目的基板相貼合，使得作為所述粘合層的表面的第一表面與作為所述轉印目的基板或形成于所述轉印目的基板上的層的表面且要與所述第一表面相接觸的第二表面相面對的步驟；以及

將所述半導體結晶層形成基板及所述轉印目的基板的全部或一部分浸漬于刻蝕液中對所述犧牲層進行刻蝕，在使所述半導體結晶層保留在所述轉印目的基板側的狀態下將所述轉印目的基板與所述半導體結晶層形成基板相分離的步驟。

3.根據權利要求1所述的制造方法，其中，所述半導體結晶層由Ge_xSi_1-x構成，其中0<x≤1。

4.根據權利要求1所述的制造方法，其中，所述半導體結晶層的厚度為0.1nm以上且不足1μm。

5.根據權利要求1所述的制造方法，其中，在形成所述犧牲層及所述半導體結晶層的步驟之后，且在將所述半導體結晶層形成基板與所述轉印目的基板相貼合的步驟之前，進一步具有至少刻蝕所述半導體結晶層，將所述半導體結晶層分割成多個分割體，使得所述犧牲層的一部分露出的步驟。

6.根據權利要求1所述的制造方法，其中進一步包括：

在將所述轉印目的基板與所述半導體結晶層形成基板相分離的步驟之后，將所述轉印目的基板與第二轉印目的基板相貼合，使得所述轉印目的基板的所述半導體結晶層側與所述第二轉印目的基板的表面側相面對的步驟；

改變位于所述轉印目的基板與所述半導體結晶層之間的所述有機物層的物性的步驟；以及

在使所述半導體結晶層保留在所述第二轉印目的基板側的狀態下將所述轉印目的基板與所述第二轉印目的基板相分離的步驟。

7.根據權利要求6所述的制造方法，其中，改變所述物性的步驟為，將貼合后的所述轉印目的基板與所述第二轉印目的基板浸漬于有機溶劑中，使所述有機物層發生溶脹的步驟；或者為通過熱或紫外線使所述有機物層硬化的步驟。

8.根據權利要求6所述的制造方法，其中，在將所述轉印目的基板與所述第二轉印目的基板分離的步驟之前進一步包括對從以下物性中選擇的一個以上的物性進行改變的步驟：

支配所述轉印目的基板與所述半導體結晶層的粘合性的界面的物性；

位于所述半導體結晶層與所述第二轉印目的基板之間的層的物性；以及

支配所述半導體結晶層與所述第二轉印目的基板的粘合性的界面的物性。

9.根據權利要求1所述的制造方法，其中，在形成所述犧牲層及所述半導體結晶層的步驟之后，且在將所述半導體結晶層形成基板與所述轉印目的基板相貼合的步驟之前進一步包括：將以所述半導體結晶層的一部分作為有源區域的電子器件形成于所述半導體結晶層上的步驟。

10.一種復合基板，包括：

非柔性基板；

單結晶的半導體結晶層；

位于所述非柔性基板與所述半導體結晶層之間的有機物層。

11.根據權利要求10所述的復合基板，其中，所述半導體結晶層由Ge_xSi_1-x構成，其中0<x≤1。