[發(fā)明專利]用于引導細胞遷移的裝置和實施這種裝置的引導方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201280045314.2 | 申請日: | 2012-09-17 |
| 公開(公告)號: | CN104039951A | 公開(公告)日: | 2014-09-10 |
| 發(fā)明(設計)人: | M·勒貝爾;M·皮埃爾;陳勇;劉妍君 | 申請(專利權)人: | 居里研究所;國家科學研究中心;發(fā)展與工業(yè)研究公司 |
| 主分類號: | C12N5/00 | 分類號: | C12N5/00 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 孟凡宏;金惠淑 |
| 地址: | 法國*** | 國省代碼: | 法國;FR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 引導 細胞 遷移 裝置 實施 這種 方法 | ||
1.用于引導細胞遷移的裝置,包括具有用于與細胞接觸的織紋表面的底層,所述織紋表面具有由突起物的網(wǎng)絡構成的各向異性的三維結構,所述突起物的由所述各向異性結構賦予的方向相對于由所述織紋表面形成的平面的正交面傾斜。
2.權利要求1所述的引導裝置,其特征在于突起物的所述網(wǎng)絡的間距小于細胞尺寸,優(yōu)選小于20μm,更優(yōu)選為0.1-15μm,更優(yōu)選為5-10μm,和甚至更優(yōu)選為約5μm。
3.權利要求1或2所述的引導裝置,其特征在于所述傾斜的突起物相對于由所述織紋表面形成的平面的正交面的傾斜角小于或等于45°,更優(yōu)選為10°-45°。
4.權利要求1至3任一項所述的引導裝置,其特征在于對應于所述突起物的高度與直徑的比例的所述傾斜的突起物的高寬比為0.5-20,優(yōu)選2-10。
5.權利要求1至4任一項所述的引導裝置,其特征在于所述傾斜的突起物為圓柱形,尤其具有球形或卵形橫截面、錐形、金字塔形、薄層形,尤其具有長方形或平行四邊形橫截面、或薄片形,基本上為三角形、半橢圓形或半圓形。
6.權利要求1至5任一項所述的引導裝置,其特征在于所述傾斜的突起物是直徑為10nm-10μm,優(yōu)選0.5-3μm的圓柱形。
7.權利要求1至6任一項所述的引導裝置,其特征在于所述具有織紋表面的底層是粘合劑的。
8.權利要求1至6任一項所述的引導裝置,其特征在于所述具有織紋表面的底層是非粘合劑的。
9.權利要求8所述的引導裝置,其特征在于所述非粘合劑底層由非粘合劑材料例如氟聚合物或通過化學處理例如移植聚乙二醇(PEG)分子成為非粘合性的材料組成。
10.權利要求1至9任一項所述的引導裝置,其特征在于所述裝置是敷料、植入物、假體、人造組織支持物、微流控通道或集成通道的芯片上實驗室裝置的形式,優(yōu)選所述裝置是敷料。
11.用于引導細胞遷移的方法,包括使細胞與具有織紋表面的底層接觸,所述織紋表面具有各向異性的三維結構,所述結構由權利要求1至9定義的傾斜突起物構成。
12.權利要求11所述的引導方法,其特征在于將所述細胞在支持表面上輸送。
13.權利要求12所述的引導方法,其特征在于所述支持表面是人造表面,例如細胞培養(yǎng)表面(例如凝膠)、玻璃蓋玻片、微流控通道內、或所述細胞的天然環(huán)境的表面,例如活組織表面或傷口表面。
14.權利要求12或13所述的引導方法,其特征在于將所述細胞限制于所述支持表面和所述織紋表面之間。
15.權利要求12至14任一項所述的引導方法,其特征在于所述支持表面和所述織紋表面之間的距離為0-10μm,優(yōu)選3-6μm。
16.權利要求12至15任一項所述的引導方法,其特征在于所述支持表面和/或所述織紋表面包含一個或多個額外的隆起物,其可以控制所述兩個表面之間的距離。
17.權利要求16所述的引導方法,其特征在于所述額外的隆起物是直徑為100-500μm,且高度小于10μm,優(yōu)選3-6μm的柱形式。
18.用于制備織紋表面的方法,所述織紋表面具有由權利要求1至9任一項所述的傾斜突起物的網(wǎng)絡構成的各向異性三維結構,所述方法包括:
i.制備構成所述三維結構的陰性拷貝的聚硅氧烷模子,特別是通過自對準光刻,
ii.模鑄構成所述三維結構的材料,
iii.除去所述聚硅氧烷模子。
19.前述權利要求所述的制備方法,其特征在于制備聚硅氧烷(PDMS)模子的步驟i通過自對準光刻來進行,其特別是包括以下步驟:
i.使光敏樹脂層淀積在光掩模上,
ii.使用具有入射角(對應于由入射光線和由掩模形成的平面的正交面形成的角度)的光源經(jīng)過所述光掩模照射所述樹脂層,所述入射角調節(jié)各向異性三維結構的柱的傾斜角,
iii.任選地,用抗污材料覆蓋所述樹脂的三維表面,
iv.在所述樹脂的三維表面上澆鑄PDMS層,以獲得所述聚硅氧烷(PDMS)模子,
v.聚合后,除去所形成的PDMS模子(圖4(H))。
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