[發明專利]在激光處理系統中的顆粒控制有效
| 申請號: | 201280045273.7 | 申請日: | 2012-09-14 |
| 公開(公告)號: | CN103797565B | 公開(公告)日: | 2017-05-17 |
| 發明(設計)人: | 阿倫·繆爾·亨特;梅蘭·貝德亞特;布魯斯·E·亞當斯 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/268 | 分類號: | H01L21/268;H01L21/324 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金國,趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 激光 處理 系統 中的 顆粒 控制 | ||
1.一種用于在激光處理系統中減少污染物的設備,所述設備包含:
基板支撐件外殼;
主體,所述主體耦接至所述基板支撐件外殼的外表面,所述主體界定腔體并且具有:
圓錐狀部分,所述圓錐狀部分具有:第一端,所述第一端具有第一直徑;及第二端,所述第二端具有第二直徑,所述第二直徑小于所述第一直徑,所述圓錐狀部分在所述第一端與所述第二端之間具有錐形內側壁;及
圓筒狀部分,所述圓筒狀部分接合至所述圓錐狀部分的所述第二端;
第一氣體入口端口,所述第一氣體入口端口圓周地圍繞所述圓錐狀部分的所述第一端而形成,所述第一氣體入口端口形成在所述圓錐狀部分的所述錐形內側壁中;
第二氣體入口端口,所述第二氣體入口端口圓周地圍繞所述主體的所述圓筒狀部分而形成;及
透明的窗口,所述透明的窗口設置在所述圓錐狀部分的所述第一端處。
2.如權利要求1所述的設備,其中所述第一氣體入口端口與所述腔體流體連通。
3.如權利要求2所述的設備,進一步包含:第一氣體通道,所述第一氣體通道與所述第一氣體入口端口流體連通。
4.如權利要求3所述的設備,進一步包含:氣體出口端口,所述氣體出口端口與所述腔體流體連通。
5.如權利要求4所述的設備,其中所述氣體出口端口被布置在所述第一氣體入口端口和所述第二氣體入口端口之間。
6.如權利要求1所述的設備,進一步包含:凸緣,所述凸緣被設置在所述圓筒狀部分的外部表面上。
7.如權利要求6所述的設備,其中所述凸緣包含設置為穿過所述凸緣的開口以容納緊固件。
8.如權利要求1所述的設備,其中所述透明的窗口包含:石英、熔融硅石、或藍寶石。
9.如權利要求1所述的設備,其中所述主體包含:不銹鋼或鋁。
10.如權利要求1所述的設備,其中所述透明的窗口包含于所述透明的窗口上的涂料,且其中所述涂料對具有第一波長的輻射為抗反射的,且所述涂料對具有第二波長的輻射為反射的。
11.如權利要求10所述的設備,其中所述第一波長在大約200納米至大約1100納米的范圍內,且所述第二波長在大約800納米至大約2.2微米的范圍內。
12.如權利要求11所述的設備,其中所述主體包含穿過所述主體的壁的開口,以容納高溫測量視野。
13.如權利要求12所述的設備,其中:
所述主體的內部表面包含于所述內部表面上的涂料,所述涂料從由金、銀及鋁構成的群組中選出。
14.一種用于在激光處理系統中減少污染物的設備,所述設備包含:
基板支撐件外殼;及
主體,所述主體耦接至所述基板支撐件外殼的上外表面,所述主體界定腔體并且具有:
圓錐狀部分,所述圓錐狀部分具有:第一端,所述第一端具有第一直徑;及第二端,所述第二端具有第二直徑,所述第二直徑小于所述第一直徑,所述圓錐狀部分在所述第一端與所述第二端之間具有錐形內側壁;及
圓筒狀部分,所述圓筒狀部分接合至所述圓錐狀部分的所述第二端;
第一氣體入口端口,所述第一氣體入口端口圓周地圍繞所述圓錐狀部分的所述第一端而形成且與所述腔體流體連通,所述第一氣體入口端口形成在所述圓錐狀部分的所述錐形內側壁中;
第二氣體入口端口,所述第二氣體入口端口圓周地圍繞所述主體的所述圓筒狀部分而形成且與所述腔體流體連通;及
透明的窗口,所述透明的窗口被設置在所述圓錐狀部分的所述第一端處而與所述第一氣體入口端口相鄰,所述透明的窗口具有于所述透明的窗口上的涂料,所述涂料對具有第一波長的輻射為抗反射的,且所述涂料對具有第二波長的輻射為反射的。
15.如權利要求14所述的設備,其中:
所述第一波長在大約200納米至大約1100納米的范圍內;
所述第二波長在大約800納米至大約2.2微米的范圍內;
所述主體的內部表面包含所述內部表面上的涂料,所述涂料從由金、銀及鋁構成的群組中選出;
所述主體包含穿過所述主體的壁的開口,以容納高溫測量視野;
所述主體包含:不銹鋼或鋁;及
所述窗口包含:石英、熔融硅石、或藍寶石。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于應用材料公司,未經應用材料公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201280045273.7/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





