[發明專利]用于膠印的移印版及其制備方法

有效

• 申請號: 201280045134.4
• 申請日: 2012-09-27
• 公開（公告）號: CN103998243A
• 公開（公告）日: 2014-08-20
• 發明（設計）人: 黃智泳;具范謨
• 申請（專利權）人: LG化學株式會社
• 主分類號: B41C3/08
• 分類號: B41C3/08
• 代理公司: 北京金信立方知識產權代理有限公司 11225
• 代理人: 朱梅;李海明

1.一種用于膠印的移印版包括：

溝槽圖案，其中，該溝槽圖案的至少部分區域的深度不同于剩余區域的深度。

2.根據權利要求1所述的用于膠印的移印版，其中，所述溝槽圖案的具有不同深度的區域包括所述溝槽圖案的具有不同線寬的區域。

3.根據權利要求2所述的用于膠印的移印版，其中，相比于具有相對較小線寬的區域，所述溝槽圖案的具有相對較寬線寬的區域包括具有更深深度的區域。

4.根據權利要求1所述的用于膠印的移印版，其中，所述溝槽圖案包括至少兩種具有不同線寬的圖案，且至少兩種圖案的線寬之間差值為15μm以上。

5.根據權利要求4所述的用于膠印的移印版，其中，線寬之間的差值為15μm以上的至少兩種圖案彼此相連。

6.根據權利要求1所述的用于膠印的移印版，其中，所述溝槽圖案包括兩種以上的線寬之間差值為15μm以上的圖案。

7.根據權利要求6所述的用于膠印的移印版，其中，所述溝槽圖案進一步包括具有與最小線寬相差500μm以上的線寬的圖案。

8.根據權利要求1所述的用于膠印的移印版，其中，所述用于膠印的移印版包括線性圖案的溝槽圖案，且符合下述關系式1：

[關系式1]

D≥42.9exp(-{(P-W)/P}/0.35)-1.5

其中，D為所述溝槽圖案的深度，P為間距，W為所述溝槽圖案的線寬，且所有單位為微米。

9.根據權利要求1所述的用于膠印的移印版，其中，所述用于膠印的移印版包括封閉圖形的溝槽圖案，且符合下述關系式2：

[關系式2]

D≥33.8exp(-{(P-W)/P}/0.235)+0.82

其中，D為所述溝槽圖案的深度，P為間距，W為所述溝槽圖案的線寬，且所有單位為微米。

10.一種用于膠印的移印版的制備方法，包括：

1）在基板上形成第一掩模圖案，

2）在所述基板和第一掩模圖案上形成第二掩模圖案，

3）通過使用第二掩模圖案蝕刻所述基板，

4）移除所述第二掩模圖案，和

5）通過使用所述第一掩模圖案以與步驟3）的蝕刻深度不同的蝕刻深度蝕刻所述基板。

11.根據權利要求10所述的用于膠印的移印版的制備方法，其中，所述第一掩模圖案包含選自鉻、鎳、它們的氧化物和它們的氮化物中的一種或多種，以及所述第二掩模圖案包含選自鉬和氧化鉬中一種或多種。

12.一種用于膠印的移印版的制備方法，包括：

1）在基板上形成第一掩模圖案，

2）在所述基板和第一掩模圖案上形成用于第二掩模的前表面層，

3）在所述用于第二掩模圖案的前表面層上形成第三掩模圖案，

4）通過使用所述第三掩模圖案形成所述第二掩模圖案，

5）使用所述第二掩模圖案蝕刻所述基板，

6）移除所述第二掩模圖案，和

7）通過使用所述第一掩模圖案以與步驟5）中的蝕刻深度不同的蝕刻深度蝕刻所述基板。

13.根據權利要求12所述的用于膠印的移印版的制備方法，其中，所述第一掩模圖案包含選自鉻、鎳、它們的氧化物和它們的氮化物中的一種或多種，所述第二掩模圖案包含選自鉬和氧化鉬中的一種或多種。

14.根據權利要求12所述的用于膠印的移印版的制備方法，其中，所述第一掩模圖案包括Cr/Cr的氧化物層或Cr/Cr的氮化物層。

15.根據權利要求12所述的用于膠印的移印版的制備方法，其中，所述第三掩模圖案是光刻膠圖案。

16.通過使用根據權利要求1-9中的任一項所述的用于膠印的移印版印刷的印刷品。

17.根據權利要求16所述的印刷品，其中，所述印刷品包括至少兩種具有不同線寬的圖案，且至少兩種圖案的線寬之間差值是15μm以上。

18.一種觸控面板，其包括：

根據權利要求16所述的印刷品。