[發(fā)明專利]制造復(fù)合晶片的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280045025.2
• 申請日: 2012-09-14
• 公開（公告）號: CN103828021A
• 公開（公告）日: 2014-05-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 秋山昌次;永田和壽
• 申請（專利權(quán)）人: 信越化學(xué)工業(yè)株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/265;H01L27/12
• 代理公司: 北京市隆安律師事務(wù)所 11323
• 代理人: 權(quán)鮮枝

1.一種制造復(fù)合晶片的方法，至少包括以下步驟：

將至少兩個處理晶片的表面與施體晶片的表面鍵合以獲得鍵合晶片，所述施體晶片的直徑大于或等于所述至少兩個處理晶片的直徑之和，并且所述施體晶片具有通過從所述施體晶片的表面注入氫離子而在施體晶片內(nèi)部形成的氫離子注入層；

在200℃至400℃對所述鍵合晶片加熱；以及

沿著加熱后的鍵合晶片的氫離子注入層從所述施體晶片分離出膜，以獲得具有轉(zhuǎn)移到所述至少兩個處理晶片上的所述膜的復(fù)合晶片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造復(fù)合晶片的方法，其中所述施體晶片的直徑是6英寸至12英寸，并且所述至少兩個處理晶片的直徑均是2英寸至6英寸。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制造復(fù)合晶片的方法，其中所述施體晶片的表面和/或所述至少兩個處理晶片的表面已經(jīng)進行過表面活化處理。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的制造復(fù)合晶片的方法，其中所述施體晶片和所述至少兩個處理晶片中的每一個選自包括硅晶片、其上形成有氧化膜的硅晶片、玻璃晶片、石英晶片、藍寶石晶片、碳化硅晶片和氮化鎵晶片的組。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造復(fù)合晶片的方法，其中所述施體晶片是硅晶片或者其上形成有氧化膜的硅晶片，并且所述至少兩個處理晶片中的每一個是玻璃晶片、石英晶片或藍寶石晶片。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的制造復(fù)合晶片的方法，其中所述施體晶片和/或所述至少兩個處理晶片是透明的，并且所述分離步驟包括向所述鍵合晶片的透明側(cè)照射可見光。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造復(fù)合晶片的方法，其中所述可見光的光源是RTA、激光或者閃光燈的光源。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的制造復(fù)合晶片的方法，其中所述至少兩個處理晶片中的每一個是玻璃晶片、石英晶片或者藍寶石晶片，并且所述分離步驟包括向所述鍵合晶片的至少兩個處理晶片側(cè)照射可見光。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的制造復(fù)合晶片的方法，其中所述至少兩個處理晶片中的每一個是玻璃晶片、石英晶片或者藍寶石晶片，并且所述分離步驟包括對所述鍵合晶片的所述氫離子注入層施加機械沖擊。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的制造復(fù)合晶片的方法，其中所述至少兩個處理晶片中的每一個是玻璃晶片、石英晶片或者藍寶石晶片，并且所述分離步驟包括對附著有解理部件的所述氫離子注入層施加機械沖擊，同時向所述鍵合晶片的至少兩個處理晶片側(cè)照射可見光。