[發(fā)明專利]制造官能化表面的方法和由此制得的表面

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280044840.7
• 申請日: 2012-07-11
• 公開（公告）號: CN103889592A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: J.P.S.巴德亞爾;V.魯庫勒;W.C.E.肖菲爾德
• 申請（專利權(quán)）人: 表面創(chuàng)新有限公司
• 主分類號: B05D1/36
• 分類號: B05D1/36;B05D7/24;B05D7/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 段家榮;李進(jìn)

1.制造圖案化官能化表面的方法，該方法包括：

（i）使表面與具有反應(yīng)性基團(tuán)的聚合物接觸，以使該基團(tuán)沉積在該表面上以便在所述表面上制造官能化聚合物層；和

（ii）使該官能化聚合物層與官能分子接觸，所述官能分子與該官能化聚合物層反應(yīng)，由此制造具有一個(gè)或多個(gè)反應(yīng)性表面官能區(qū)域的圖案化表面。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中基底材料選自紡織或非紡織纖維、天然纖維、合成纖維、金屬、玻璃、陶瓷、半導(dǎo)體、纖維素材料、紙張、木材或聚合物如聚四氟乙烯、聚乙烯或聚苯乙烯的一種或多種。

3.如權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的方法，其中該表面是硅層。

4.如前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法，其中該聚合物通過下列方法的一種或多種形成：等離子體沉積、等離子體聚合、熱化學(xué)氣相沉積、初始化學(xué)氣相沉積（iCVD）、光沉積、離子輔助沉積、電子束聚合、γ射線聚合、靶濺射、接枝聚合或溶液相聚合。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中該聚合物通過等離子體沉積形成。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中該方法是脈沖等離子體沉積。

7.如前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法，其中該反應(yīng)性基團(tuán)是酸酐，特別是馬來酸酐。

8.如前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法，其中該官能分子是含有染料親核試劑的油墨，特別是甲酚紫高氯酸鹽。

9.如前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法，其中在如步驟（ii）中那樣與該染料接觸之前使該官能化聚合物層聚合。

10.如前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法，其中通過在使所述層與一種或多種染料接觸之前照射離散區(qū)域內(nèi)的官能化聚合物層以制造圖案化表面。

11.如權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的方法，其中通過在使所述層與該染料接觸之后照射官能化聚合物層來制造圖案化表面。

12.如權(quán)利要求10或權(quán)利要求11所述的方法，其中使用等離子體、光子、電子、離子、自由基、原子物類或分子物類的束來進(jìn)行照射，或者該照射是UV照射。

13.如權(quán)利要求10至12任一項(xiàng)所述的方法，其中通過穿過掩模照射產(chǎn)生該圖案化表面上的圖案。

14.如前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法，其中該圖案化官能化表面能夠允許重寫該圖案化官能化表面。

15.如前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法，其中通過改變等離子體工作循環(huán)來控制該表面上的基團(tuán)或染料的表面密度。

16.制造在先權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的待隨后圖案化的官能化聚合物層的方法，該方法包括使表面與具有反應(yīng)性基團(tuán)的等離子聚合物接觸，以使基團(tuán)沉積在該表面上以便在所述表面上產(chǎn)生官能化聚合物層。

17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中該表面是硅，該等離子聚合物在硅上形成納米層。

18.通過如權(quán)利要求1至15任一項(xiàng)所述的方法制得的官能化的圖案化表面。

19.通過如權(quán)利要求16或17所述的方法制得的官能化聚合物層。

20.用于分子晶格器件、有機(jī)感光體、臨床免疫分析、特異性細(xì)胞標(biāo)記（染料-蛋白質(zhì)相互作用）和遺傳學(xué)（染料-DNA相互作用）的如權(quán)利要求18或權(quán)利要求19所述的官能化的圖案化表面或官能化聚合物層。