[發明專利]用于蝕刻與蝕刻掩模縱向間隔開的材料的方法

有效

• 申請號: 201280044812.5
• 申請日: 2012-09-06
• 公開（公告）號: CN103917484A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發明（設計）人: K.L.楊;T.D.陳
• 申請（專利權）人: 應美盛股份有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;H04R19/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 易皎鶴;湯春龍

1.一種微加工過程，包括：

在晶片上形成多個層，所述多個層包括支承層和給定層；

至少部分在所述支承層上形成掩模，所述掩模具有掩?？?，所述支承層在所述掩模孔與所述給定層之間，所述支承層使所述掩?？着c所述給定層縱向間隔開；以及

通過所述掩模孔將特征蝕刻到所述給定層內。

2.如權利要求1所述的微加工過程，其中蝕刻包括引導第一蝕刻劑通過所述掩模與所述給定層之間的空隙。

3.如權利要求2所述的微加工過程，進一步包括：

去除所述掩模與所述給定層之間的材料來形成所述空隙，去除包括引導初步蝕刻劑通過所述掩模中的掩模孔。

4.如權利要求2所述的微加工過程，其中所述第一蝕刻劑包括反應離子蝕刻材料，所述第一蝕刻劑經過所述掩?？缀退隹障秮韺⑺鎏卣魑g刻到所述給定層內。

5.如權利要求2所述的微加工過程，其中所述空隙具有壁，其帶有如果被接觸能被所述第一蝕刻劑蝕刻的暴露材料，所述第一蝕刻劑使暴露材料大致上未被蝕刻。

6.如權利要求2所述的微加工過程，其中所述特征包括通過所述給定層的層孔。

7.如權利要求6所述的微加工過程，其中所述層孔包括特征最大內部尺寸，所述掩?？拙哂锌鬃畲髢炔砍叽?，其大致上與所述特征最大內部尺寸相同。

8.如權利要求6所述的微加工過程，其中所述空隙具有空隙最大內部尺寸，所述掩?？拙哂锌鬃畲髢炔砍叽?，所述孔最大內部尺寸小于所述空隙最大內部尺寸。

9.如權利要求8所述的微加工過程，其中所述多個層包括更深層，所述更深層通過所述層孔暴露于空隙，所述方法進一步包括引導第二蝕刻劑通過所述掩模孔、空隙和層孔來去除所述更深層的至少一部分。

10.如權利要求9所述的微加工過程，其中所述第一蝕刻劑包括氧化蝕刻劑，并且所述第二蝕刻劑包括硅蝕刻劑。

11.如權利要求1所述的微加工過程，其中所述多個層包括第一背板層與第二背板層之間的隔膜層。

12.如權利要求1所述的微加工過程，其中所述支承層包括結構層并且所述給定層包括犧牲層。

13.一種微加工方法，包括：

提供具有多個層的晶片，所述多個層包括具有第一犧牲材料的第一層、介入層和具有第一犧牲材料的第二層，

所述第一層中的所述第一犧牲材料與所述第二層中的所述第一犧牲材料不鄰接，所述介入層使所述第一層中的所述第一犧牲材料與所述第二層中的所述第一犧牲材料分離；

在所述晶片上形成蝕刻掩模，所述蝕刻掩模具有掩模孔，所述掩?？着c所述介入層間隔開；

引導第一蝕刻劑通過所述掩模孔以從所述第一層去除所述第一材料中的至少一些來形成在所述介入層處終止的空隙；以及

將定向蝕刻劑傳遞通過所述掩?？缀退隹障秮硇纬赏ㄟ^所述介入層的介入層孔。

14.如權利要求13所述的方法，其中所述介入層孔使所述第二層中的第一材料暴露，所述方法進一步包括將蝕刻劑傳遞通過所述掩模孔、空隙和介入層孔來去除所述第二層中的第一材料的至少一部分。

15.如權利要求13所述的方法，其中所述晶片具有至少部分支承所述蝕刻掩模的支承層，所述支承層在所述蝕刻掩模與所述第一層之間。

16.如權利要求13所述的方法，其中所述第一犧牲材料包括硅。

17.如權利要求13所述的方法，其中所述空隙具有空隙最大內部尺寸，所述掩?？拙哂锌鬃畲髢炔砍叽?，所述孔最大內部尺寸小于所述空隙最大內部尺寸。

18.一種形成MEMS麥克風的方法，所述方法包括：

提供晶片，其具有下背板層、上背板層以及頂部與下背板層之間的隔膜層，所述晶片在所述隔膜層與所述上背板層之間具有第一犧牲層和第二犧牲層；

在所述晶片上形成具有掩?？椎奈g刻掩模，所述上背板層在所述掩模孔與所述第一犧牲層之間，所述背板層使所述掩模孔與所述第一犧牲層間隔開；

將第一蝕刻劑傳遞通過所述掩?？讈硇纬稍谒龅谝粻奚鼘犹幗K止的空隙；

將第二蝕刻劑傳遞通過所述掩模孔和所述空隙來形成通過所述第一犧牲層的陰影孔。