[發明專利]高純度銅錳合金濺射靶無效

申請號：	201280044705.2	申請日：	2012-09-05
公開（公告）號：	CN103797152A	公開（公告）日：	2014-05-14
發明（設計）人：	長田健一;大月富男;岡部岳夫;牧野修仁;福島篤志	申請（專利權）人：	吉坤日礦日石金屬株式會社
主分類號：	C23C14/34	分類號：	C23C14/34;C22C9/05;H01L21/285;H01L21/28
代理公司：	中原信達知識產權代理有限責任公司 11219	代理人：	王海川;穆德駿
地址：	日本***	國省代碼：	日本;JP
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摘要：
搜索關鍵詞：	純度合金濺射
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【權利要求書】：

1.一種高純度銅錳合金濺射靶，含有0.05～20重量%的Mn，C為2重量ppm以下，剩余部分為Cu和不可避免的雜質，其特征在于，濺射該靶而在晶片上成膜時，C、或者選自Mn、Si、Mg中的至少一種元素、或者包含C和選自Mn、Si、Mg中的至少一種元素的化合物的直徑0.08μm以上的粉粒的數量為平均50個以下。

2.如權利要求1所述的高純度銅錳合金濺射靶，其特征在于，直徑0.08μm以上的粉粒的數量為平均20個以下。

3.一種高純度銅錳合金濺射靶，含有0.05～20重量%的Mn，C為2重量ppm以下，剩余部分為Cu和不可避免的雜質，其特征在于，濺射該靶而在晶片上成膜時，C、或者選自Mn、Si、Mg中的至少一種元素、或者包含C和選自Mn、Si、Mg中的至少一種元素的化合物的直徑0.20μm以上的粉粒的數量為平均30個以下。

4.如權利要求3所述的高純度銅錳合金濺射靶，其特征在于，直徑0.20μm以上的粉粒的數量為平均10個以下。

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