[發明專利]再磨光乙烯基組合物瓷磚的方法

有效

• 申請號: 201280043598.1
• 申請日: 2012-08-28
• 公開（公告）號: CN103781593B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發明（設計）人: 唐納德·T·蘭丁;詹姆士·L·麥卡德爾
• 申請（專利權）人: 3M創新有限公司
• 主分類號: B24B1/00
• 分類號: B24B1/00;B24B7/18;B24D3/14;B24D9/00;A47L13/00;B24D11/02;B24D9/08;B24D13/20;B24D13/14
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112
• 代理人: 丁業平,金小芳

1.一種再磨光乙烯基組合物瓷磚地板的方法，所述方法包括順序步驟：

a)使用固定至第一機械驅動墊的第一結構化研磨構件濕研磨包括乙烯基組合物瓷磚的地板的暴露表面的至少一部分，所述第一結構化研磨構件包括固定至第一適形背襯的第一成形研磨復合材料，其中所述第一成形研磨復合材料包括分散于第一聚合物粘結劑中的第一磨粒，其中所述第一磨粒具有第一平均粒度；以及

b)使用固定至第二機械驅動墊的第二結構化研磨構件濕研磨所述地板的暴露表面的所述至少一部分，所述第二結構化研磨構件包括固定至第二適形背襯的第二成形研磨復合材料，其中所述第二成形研磨復合材料包括分散于第二聚合物粘結劑中的第二磨粒，其中所述第二磨粒具有第二平均粒度，并且其中所述第二平均粒度小于所述第一平均粒度；并且

其中在步驟a)和b)各自的過程中，所述地板的暴露表面的所述至少一部分的平均表面粗糙度R_a均減小。

2.根據權利要求1所述的方法，其中在步驟a)和b)各自的過程中，所述地板的暴露表面的所述至少一部分的平均表面粗糙度R_z均減小。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一結構化研磨構件中的每一個還包括固定至所述第一適形背襯的第一附接界面系統，所述第一附接界面系統具有與所述第一適形背襯相對的多個環，其中所述第一結構化研磨構件通過第一附接界面構件固定至所述第一機械驅動墊，所述第一附接界面構件具有兩個相對的主面，所述兩個相對的主面具有從其延伸的鉤。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一結構化研磨構件中的每一個還包括固定至所述第一適形背襯的適形泡沫層，和具有與所述適形泡沫層相對的多個鉤的附接界面系統。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述第二結構化研磨構件中的每一個還包括固定至所述第二適形背襯的適形泡沫層，和具有與所述適形泡沫層相對的多個鉤的附接界面系統。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述第二結構化研磨構件中的每一個還包括固定至所述第二適形背襯的第二附接界面系統，所述第二附接界面系統具有與所述第二適形背襯相對的多個環，其中所述第二結構化研磨構件通過附接界面構件固定至所述第二機械驅動墊，所述附接界面構件具有兩個相對的主面，所述兩個相對的主面具有從其延伸的鉤。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述第一機械驅動墊和第二機械驅動墊為可壓縮的和有回彈力的。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一成形研磨復合材料、所述第二成形研磨復合材料或上述兩者為精確成形的。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一平均粒度在400微米至600微米的范圍內。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述第二平均粒度在25微米至75微米的范圍內。

11.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一成形研磨復合材料或第二成形研磨復合材料中的至少一者包括保留于玻璃質粘結劑中的超磨粒。

12.根據權利要求1所述的方法，其中在步驟b)之后，所述地板的暴露表面的所述至少一部分的平均表面粗糙度R_a小于或等于95微英寸。

13.根據權利要求1所述的方法，其在步驟b)之后還包括：

c)使用固定至第三可壓縮有回彈力的機械驅動墊的第三結構化研磨構件濕研磨所述地板的暴露表面的所述至少一部分，所述第三結構化研磨構件包括固定至第三適形背襯的第三成形研磨復合材料，其中所述第三成形研磨復合材料包括分散于第三聚合物粘結劑中的第三磨粒，其中所述第三磨粒具有第三平均粒度，并且其中所述第三平均粒度小于所述第二平均粒度；并且

其中在步驟c)的過程中，所述地板的暴露表面的所述至少一部分的平均表面粗糙度R_a減小。

14.根據權利要求13所述的方法，其中在步驟c)之后，所述地板的經研磨的暴露表面具有小于80微英寸的平均表面粗糙度。

15.根據權利要求1所述的方法，其在步驟b)之后還包括將透明聚合物涂飾劑施用至所述地板的暴露表面的所述至少一部分。