[發(fā)明專利]聚光型太陽(yáng)光發(fā)電裝置用光學(xué)元件、其制造方法及聚光型太陽(yáng)光發(fā)電裝置無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201280043334.6 | 申請(qǐng)日: | 2012-10-22 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103765610A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-04-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 俁野高宏;佐藤史雄 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 日本電氣硝子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L31/055 | 分類號(hào): | H01L31/055;G02B1/00;G02B5/08 |
| 代理公司: | 北京尚誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 聚光 太陽(yáng)光 發(fā)電 裝置 用光 元件 制造 方法 | ||
1.一種聚光型太陽(yáng)光發(fā)電裝置用光學(xué)元件,其特征在于:
由在表面具有壓縮應(yīng)力的玻璃材料構(gòu)成。
2.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件,其特征在于:
壓縮應(yīng)力為1~1000MPa。
3.如權(quán)利要求1或2所述的光學(xué)元件,其特征在于:
表面粗糙度以算術(shù)平均粗糙度(Ra)計(jì)為200nm以下。
4.如權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的光學(xué)元件,其特征在于:
玻璃材料在30~300℃下的平均線性熱膨脹系數(shù)為120×10-7/℃以下。
5.如權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的光學(xué)元件,其特征在于:
玻璃材料的維氏硬度Hv(100)為500以上。
6.如權(quán)利要求1~5中任一項(xiàng)所述的光學(xué)元件,其特征在于:
在實(shí)施退火處理的情況下,退火前的密度C1和退火后的密度C2滿足(C1/C2)×100≤99.9的關(guān)系。
7.如權(quán)利要求1~6中任一項(xiàng)所述的光學(xué)元件,其特征在于:
玻璃材料包含硅酸鹽類玻璃。
8.一種光學(xué)元件的制造方法,其用于制造權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的光學(xué)元件,該光學(xué)元件的制造方法的特征在于:
對(duì)規(guī)定形狀的玻璃材料的表面實(shí)施風(fēng)冷強(qiáng)化處理或化學(xué)強(qiáng)化處理來(lái)賦予壓縮應(yīng)力。
9.一種聚光型太陽(yáng)光發(fā)電裝置,其特征在于:
具備太陽(yáng)能電池和對(duì)太陽(yáng)能電池聚光的聚光光學(xué)系統(tǒng),
聚光光學(xué)系統(tǒng)具備權(quán)利要求1~7中任一項(xiàng)所述的光學(xué)元件。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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