[發(fā)明專(zhuān)利]晶體層疊結(jié)構(gòu)體

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201280043326.1
• 申請(qǐng)日: 2012-08-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103781947B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-05-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 佐佐木公平
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 株式會(huì)社田村制作所
• 主分類(lèi)號(hào): C30B29/16
• 分類(lèi)號(hào): C30B29/16;C23C14/08;C23C16/40;C30B29/20;H01L21/205;H01L21/363
• 代理公司: 北京市隆安律師事務(wù)所 11323
• 代理人: 徐謙

1.一種晶體層疊結(jié)構(gòu)體，具有：

外延生長(zhǎng)用基板，由n型β-Ga₂O₃系單晶構(gòu)成，將其(010)面、或者相對(duì)于所述(010)面以37.5°以內(nèi)的角度范圍傾斜的面作為主面；

n型外延晶體，形成于所述外延生長(zhǎng)用基板的所述主面上；

肖特基電極，設(shè)置在所述n型外延晶體的與所述外延生長(zhǎng)用基板相反側(cè)的肖特基接合表面；和

歐姆電極，設(shè)置在所述外延生長(zhǎng)用基板的與所述n型外延晶體相反側(cè)的歐姆接合表面，

所述n型β-Ga₂O₃系單晶包含第1供體濃度，

所述n型外延晶體是含Ga氧化物，包含比所述第1供體濃度低的第2供體濃度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體層疊結(jié)構(gòu)體，其中，所述主面是n型β-Ga₂O₃系單晶的從(010)面至(310)面之間的面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體層疊結(jié)構(gòu)體，其中，所述主面是n型β-Ga₂O₃系單晶的(010)面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體層疊結(jié)構(gòu)體，其中，所述主面是n型β-Ga₂O₃系單晶的(310)面。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中的任一項(xiàng)所述的晶體層疊結(jié)構(gòu)體，其中，所述外延生長(zhǎng)用基板包含提高基板的電阻的II族元素。