[發明專利]研磨劑及研磨方法

無效

• 申請號: 201280043222.0
• 申請日: 2012-08-23
• 公開（公告）號: CN103782370A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發明（設計）人: 吉田伊織;竹宮聰;朝長浩之
• 申請（專利權）人: 旭硝子株式會社
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;B24B37/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 劉多益

1.研磨劑，其用于以化學機械方式對非氧化物單晶基板進行研磨，其特征在于，

含有含過渡金屬的氧化還原電位為0.5V以上的氧化劑、平均二次粒徑為0.2μm以下的二氧化硅粒子、分散介質；

所述氧化劑的含有比例為0.25質量％以上5質量％以下，且所述二氧化硅粒子的含有比例為0.01質量％以上且小于20質量％。

2.如權利要求1所述的研磨劑，其特征在于，所述氧化劑是高錳酸根離子。

3.如權利要求1或2所述的研磨劑，其特征在于，pH為11以下。

4.如權利要求3所述的研磨劑，其特征在于，pH為5以下。

5.如權利要求1～4中任一項所述的研磨劑，其特征在于，所述非氧化物單晶基板是碳化硅(SiC)單晶基板或氮化鎵(GaN)單晶基板。

6.研磨方法，該方法是向研磨墊供給研磨劑、使作為研磨對象物的非氧化物單晶基板的被研磨面與所述研磨墊接觸、通過兩者間的相對運動進行研磨的方法，其特征在于，使用權利要求1～5中任一項所述的研磨劑作為所述研磨劑。