[發明專利]曝光裝置、曝光方法、元件制造方法、程序及記錄媒體有效
| 申請號: | 201280042481.1 | 申請日: | 2012-07-19 |
| 公開(公告)號: | CN103765555A | 公開(公告)日: | 2014-04-30 |
| 發明(設計)人: | 佐藤真路 | 申請(專利權)人: | 株式會社尼康 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 任默聞 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 曝光 裝置 方法 元件 制造 程序 記錄 媒體 | ||
1.一種曝光裝置,其特征在于,通過液體以曝光用光使基板曝光,具備:
光學構件,具有所述曝光用光射出的射出面;
基板保持裝置,包含將所述基板的下面以可釋放的方式加以保持的第1保持部、以及用以規定可配置所述基板的開口、具有在所述基板被保持于所述第1保持部保持的狀態下配置在所述基板的上面周圍的上面的第1構件;以及
多孔構件,至少一部分配置在所述基板與所述第1構件間的間隙、具有對所述液體為撥液性的上面;
通過所述多孔構件回收流入所述間隙的所述液體的至少一部分。
2.如權利要求1所述的曝光裝置,其特征在于,所述多孔構件的上面與所述基板的上面及所述第1構件的上面大致成一面。
3.如權利要求1或2所述的曝光裝置,其特征在于,所述多孔構件具有所述基板的側面可對向的第1側面,從所述第1側面的孔回收所述液體。
4.如權利要求3所述的曝光裝置,其特征在于,所述多孔構件具有所述第1構件的內面可對向的第2側面;
所述基板的側面與所述第1側面間的距離,較所述第1構件的內面與所述第2側面間的距離大。
5.如權利要求3或4所述的曝光裝置,其特征在于,所述多孔構件的上面對所述液體的接觸角,較所述第1側面的接觸角大。
6.如權利要求3至5中任一項所述的曝光裝置,其特征在于,所述基板的上面對所述液體的接觸角、及所述第1構件的上面的接觸角,較所述第1側面的接觸角大。
7.如權利要求1至6中任一項所述的曝光裝置,其特征在于,所述多孔構件的至少一部分配置在連通至所述間隙的所述基板保持裝置的空間部。
8.如權利要求7所述的曝光裝置,其特征在于,具備配置在所述空間部、吸引所述空間部的流體的至少一部分以使所述空間部成為負壓的吸引口;
通過所述多孔構件回收的所述液體的至少一部分,從所述吸引口吸引。
9.如權利要求7或8所述的曝光裝置,其特征在于,于相對所述第1保持部中心的放射方向,所述間隙的尺寸較所述空間部的尺寸小。
10.如權利要求7至9中任一項所述的曝光裝置,其特征在于,所述多孔構件包含配置在所述間隙的第1部分、與配置在所述空間部的第2部分;
于相對所述第1保持部中心的放射方向,所述第2部分的尺寸較所述第1部分的尺寸大。
11.如權利要求7至10中任一項所述的曝光裝置,其特征在于,以所述多孔構件將所述空間部的所述液體與氣體分離回收。
12.如權利要求11所述的曝光裝置,其特征在于,所述多孔構件具有連接于第1吸引裝置、主要供氣體流通而液體流通受到限制的流路。
13.如權利要求1至12中任一項所述的曝光裝置,其特征在于,具備調整所述多孔構件的溫度的溫度調整裝置。
14.如權利要求1至11中任一項所述的曝光裝置,其特征在于,所述多孔構件配置在所述基板周圍的至少一部分;
在所述液體的液浸空間形成在所述光學構件與所述基板及所述第1構件中至少一方之間的狀態下,移動所述基板及所述第1構件;
根據相對所述液浸空間的所述間隙的位置、及相對所述液浸空間的所述間隙的移動條件的一方或雙方,進行從所述多孔構件的一部分的所述液體的回收。
15.一種曝光裝置,其特征在于,通過液體以曝光用光使基板曝光,具備:
光學構件,具有所述曝光用光射出的射出面;
基板保持裝置,包含將所述基板的下面以可釋放的方式加以保持的第1保持部、以及用以規定可配置所述基板的開口、具有在所述基板被保持于所述第1保持部保持的狀態下配置在所述基板的上面周圍的上面的第1構件;以及
回收口,在所述基板及所述第1保持部的至少一方的周圍配置有多個,可回收流入所述基板與所述第1構件間的間隙的所述液體的至少一部分;
在所述液體的液浸空間形成在所述光學構件的射出面側的狀態下,移動所述基板及所述第1構件;
根據相對所述液浸空間的所述間隙的位置、及相對所述液浸空間的所述間隙的移動條件的一方或雙方,進行從所述多個回收口中的部分回收口回收所述液體。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





