[發明專利]固化性組合物及固化物

無效

• 申請號: 201280041566.8
• 申請日: 2012-08-24
• 公開（公告）號: CN103764697A
• 公開（公告）日: 2014-04-30
• 發明（設計）人: 日渡謙一郎;富田敦郎;齊木智秋;村田圣
• 申請（專利權）人: 株式會社ADEKA
• 主分類號: C08F212/34
• 分類號: C08F212/34;C08F2/44;C08F291/00
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

技術領域

本發明涉及固化性組合物及其固化物，詳細而言，涉及能夠得到加工成型性優異、耐熱性高的固化物的固化性組合物及其固化物。

背景技術

SiC（碳化硅）與硅相比電絕緣性和通電時的能量損失小，因此發熱量少、耐熱性也高。因此，SiC功率半導體可以處理比硅功率半導體大的電力，目前，作為替代廣泛使用的硅功率半導體的下一代功率半導體，得到積極研究。硅功率半導體裝置的耐熱極限溫度約為150℃，而SiC功率半導體裝置為了處理更大的電力而研究在240～300℃下使用，對于SiC功率半導體裝置的構件也要求超過240℃的耐熱性。

迄今，用樹脂進行模塑的半導體的模塑樹脂主要使用環氧樹脂。一般，樹脂以Tg（玻璃化轉變溫度）為界，粘彈性、熱膨脹系數等物性會大幅變化，因此模塑樹脂的Tg要求比半導體的使用溫度高。然而，現有的環氧樹脂的Tg大致為200℃以下，在超過240℃的使用環境下存在材料的軟化、產生裂紋等問題（例如參見專利文獻1～2）。此外，具有240℃以上的Tg的環氧樹脂由于固化前的樹脂的熔點高，因此固化溫度也高，且固化需要長時間，因而對其他構件的不良影響、生產率的降低成為問題（例如參見專利文獻3）。此外，也研究了使用聚酰亞胺等環氧樹脂以外的樹脂（例如參見專利文獻4），但對于所要求的性能而言是不充分的。

另一方面，也已知有含有多元酚化合物的乙烯基芐基醚化合物的固化性組合物（例如參見專利文獻5～7），但Tg均小于240℃，作為SiC功率半導體的模塑樹脂是不充分的。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2005-036085號公報

專利文獻2：日本特開2006-269730號公報

專利文獻3：日本特開2011-184650號公報

專利文獻4：日本特開2010-222392號公報

專利文獻5：日本特開2000-258932號公報

專利文獻6：日本特開2004-189901號公報

專利文獻7：日本特開2010-202778號公報

發明內容

發明要解決的問題

因此，本發明的目的在于提供能夠得到加工成型性優異、耐熱性高、具有高至可作為SiC功率半導體的模塑樹脂使用的Tg的固化物的固化性組合物及其固化物。

用于解決問題的方案

本發明人等鑒于前述問題進行了深入研究，結果發現，含有特定結構的化合物的固化性組合物的加工成型性優異、固化后的耐熱性高，從而完成了本發明。即，本發明是一種固化性組合物，其含有作為（A）成分的在分子中具有至少2個下述通式（1）所示的部分結構的化合物100質量份、作為（B）成分的熱自由基產生劑0.5～3質量份以及作為（C）成分的其他自由基反應性化合物0～50質量份。

（式中，環A表示苯環或環己基環，R¹表示碳數1～6的亞烷基，R²表示碳數1～4的烷基，a表示0或1的數，b表示0～3的整數，c表示1或2的數。）

本發明的固化性組合物優選的是，前述（A）成分為下述通式（2）或通式（3）所示的化合物。

（式中，R³表示碳數1～4的烷基，d表示0～2的整數，X¹表示氧原子、硫原子、亞磺?；?、磺?；Ⅳ驶?、亞苯基、亞環己基（除1,1-亞環己基以外）、下述通式（4）所示的基團或直接鍵合，R¹、R²、a、b和c與通式（1）同義。）

（式中，R⁴和R⁵各自獨立表示氫原子、三氟甲基或碳數1～12的烴基。其中，R⁴和R⁵為碳數1～12的烴基時，R⁴和R⁵可以彼此相連。）

（式中，R¹、R²、a、b和c與通式（1）同義。）

此外，本發明的固化性組合物優選的是，其還含有填料作為（D）成分。

本發明的傳遞成型用料片（tablet）的特征在于，其由前述固化性組合物形成。

本發明的固化物的特征在于，其使前述固化性組合物固化而成。