[發明專利]具有剖面式電子束析取網格以產生均勻等離子體的電子束等離子體源

無效

• 申請號: 201280041424.1
• 申請日: 2012-10-12
• 公開（公告）號: CN103748970A
• 公開（公告）日: 2014-04-23
• 發明（設計）人: L·多爾夫;S·拉烏夫;K·S·柯林斯;N·米斯拉;J·D·卡達希;G·勒雷;K·拉馬斯瓦米
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H05H1/24
• 分類號: H05H1/24;H01L21/205
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陸嘉

1.一種用于處理工作件的等離子體反應器，所述等離子體反應器包含：

工作件處理腔室，所述工作件處理腔室具有處理腔室外殼及在所述處理腔室中的工作件支撐基座，所述處理腔室外殼包含頂板和側壁及在所述側壁中的電子束開口，所述工作件支撐基座具有工作件支撐表面，所述工作件支撐表面面向所述頂板并界定在所述工作件支撐表面與所述頂板之間的工作件處理區域，所述電子束開口面向所述工作件處理區域；

電子束源腔室，所述電子束源腔室包含電子束源腔室外殼及發射開口，所述發射開口在所述電子束源腔室與面向所述電子束開口的所述工作件處理腔室之間；及

剖面式網格，所述剖面式網格在所述發射開口中并包含各自延伸穿過所述剖面式網格的多個網格開口，所述多個網格開口具有沿與所述工作件支撐表面的平面平行的軸的每一單位長度的一定數量個網格開口的不均勻分布。

2.如權利要求1所述的等離子體反應器，其特征在于，所述網格開口的所述不均勻分布是所述網格開口沿所述軸與所述剖面式網格的邊緣的接近程度的遞減函數。

3.如權利要求1所述的等離子體反應器，其特征在于，所述網格開口的所述不均勻分布是所述網格開口沿所述軸與所述剖面式網格的邊緣的接近程度的遞增函數。

4.如權利要求1所述的等離子體反應器，其特征在于，以規則的行與列布置所述網格開口，所述列沿所述軸分布，所述行平行于所述軸延伸，其中每一所述列中的網格開口的數目隨每一列沿所述軸的位置而變化。

5.如權利要求1所述的等離子體反應器，所述等離子體反應器進一步包含耦接至所述剖面式網格的電壓源，所述剖面式網格包含導電材料。

6.如權利要求1所述的等離子體反應器，其特征在于，每一單位長度的一定數量個網格開口的不均勻分布相對于沿所述電子束源腔室中所述軸的等離子體分布中的不均勻性是互補的。

7.如權利要求1所述的等離子體反應器，所述等離子體反應器進一步包含：

電子束源氣體供應，所述電子束源氣體供應耦接至所述電子束源腔室；

工作件處理氣體供應，所述工作件處理氣體供應耦接至所述工作件處理腔室；

等離子體源功率供應，所述等離子體源功率供應耦接至所述電子束源腔室；及

電子束析取電壓供應，所述電子束析取電壓供應耦接至所述剖面式網格。

8.如權利要求7所述的等離子體反應器，其特征在于，所述剖面式網格包含析取網格且所述網格開口包含析取網格開口，所述等離子體反應器進一步包含加速網格，所述加速網格在所述發射開口中并位于所述析取網格與所述工作件處理腔室之間。

9.如權利要求8所述的等離子體反應器，其特征在于，所述加速網格包含多個加速網格開口，所述加速網格開口具有沿與所述工作件支撐表面的平面平行的所述軸的每一單位長度的一定數量個網格開口的不均勻分布。

10.如權利要求9所述的等離子體反應器，其特征在于，所述加速網格開口的所述不均勻分布與所述析取網格開口的所述不均勻分布一致。

11.如權利要求1所述的等離子體反應器，其特征在于，所述發射開口位于所述工作件處理腔室的一側上，所述等離子體反應器進一步包含：

束收集器，所述束收集器在與所述工作件處理腔室的與所述一側相對的一側上，所述束收集器包含導體，所述導體電耦接至吸引電子束的電位。

12.如權利要求11所述的等離子體反應器，其特征在于，所述束收集器電耦接至所述處理腔室外殼。

13.如權利要求1所述的等離子體反應器，其特征在于，所述剖面式析取網格包含以下之一：

(a)導電片材，所述導電片材具有穿過所述導電片材成形的所述網格開口；或

(b)導電網。