[發明專利]絕緣膜有效
| 申請號: | 201280041391.0 | 申請日: | 2012-06-29 |
| 公開(公告)號: | CN103858179A | 公開(公告)日: | 2014-06-11 |
| 發明(設計)人: | 正木俊輔;西森才將;藤田浩之;林和德;藤木淳 | 申請(專利權)人: | 日東電工株式會社 |
| 主分類號: | H01B3/00 | 分類號: | H01B3/00;H01B3/30;H01B17/56 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 絕緣 | ||
技術領域
本發明涉及一種耐熱性和耐放電劣化性優異的絕緣膜。?
背景技術
近年來,在汽車用電動機、工業電動機、大型設備的變頻器等中存在使用電壓增高的傾向,對于其中所使用的絕緣材料也要求高耐熱性和耐電壓性。?
絕緣材料的耐電壓性因熱劣化和放電劣化的影響而逐年降低。具體而言,在放電劣化方面,若絕緣材料中存在小的空隙、裂紋、傷痕等缺陷,則由于施加電壓,在該缺陷處產生微弱的放電即局部放電(電暈放電)。可以認為由于反復發生該局部放電,產生局部破壞,其逐漸發展成樹枝狀,最終導致絕緣破壞。另外,將此時樹枝狀的破壞痕跡稱為電樹枝。?
作為應對上述放電劣化的對策,已知含有樹脂和分散在該樹脂中的絕緣性微粒的絕緣材料(專利文獻1)。用這樣的絕緣材料被覆的絕緣電線在其被覆層中絕緣性微粒抑制電樹枝的發展,因此顯示出優異的對放電劣化的耐性。?
但仍存在對于熱劣化和放電劣化的耐性高、絕緣壽命長的絕緣材料的進一步的需求。?
現有技術文獻?
專利文獻?
專利文獻1:日本特許第3496636號?
發明內容
發明所要解決的課題?
本發明是為了解決上述課題而完成的,其目的在于提供一種耐熱性和耐放電劣化性優異、且絕緣壽命長的絕緣膜。?
用于解決課題的手段?
本發明的發明人等進行了潛心研究,結果發現:通過調節耐熱性樹脂中的絕緣性微粒的分散狀態,能夠實現上述目的,從而完成了本發明。?
本發明的絕緣膜含有耐熱性樹脂和分散在該耐熱性樹脂中的絕緣性微粒,不含該絕緣性微粒的區域的內切圓的平均直徑為80~900nm。?
根據優選的實施方式,上述耐熱性樹脂包括聚酰亞胺樹脂或聚酰胺酰亞胺樹脂。?
根據優選的實施方式,上述絕緣性微粒的平均一次粒徑為200nm以下。?
根據優選的實施方式,上述絕緣性微粒包括選自二氧化硅、氧化鋁和二氧化鈦中的至少一種。?
發明效果?
根據本發明,能夠得到一種耐熱性和耐放電劣化性優異、且絕緣壽命長的絕緣膜。?
附圖說明
圖1是用于說明求取不含絕緣性微粒的區域的內切圓的平均直徑時的圖像處理的圖。?
圖2是絕緣壽命時間的測定中的電路的示意圖。?
圖3是用于說明絕緣壽命時間的測定中的電極的配置的示意圖。?
圖4是表示不含絕緣性微粒的區域的內切圓的平均直徑與平均絕緣壽命時間的關系的曲線。?
具體實施方式
[絕緣膜]?
本發明的絕緣膜含有耐熱性樹脂和分散在該耐熱性樹脂中的絕緣性微粒。在本發明的絕緣膜中,不含該絕緣性微粒的區域的內切圓的平均直徑為900nm以下,優選為700nm以下,更優選為600nm以下,進一步優選為500nm以下,特別優選為400nm以下。若不含絕緣性微粒的區域的內切圓的平均直徑為900nm以下,則能夠良好地發揮絕緣?性微粒所帶來的對放電劣化的耐性,因此,能夠充分延長直至膜被絕緣破壞的時間(也稱為“絕緣壽命時間”)。另外,該內切圓的平均直徑的優選下限值可以考慮得到的絕緣膜的機械特性等適當設定。具體而言,該內切圓的平均直徑為80nm以上,優選為90nm以上。平均直徑低于80nm時,膜上產生微小裂紋等缺陷,因而絕緣性降低。?
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