[發明專利]固態圖像傳感器在審
| 申請號: | 201280041321.5 | 申請日: | 2012-08-21 |
| 公開(公告)號: | CN103765590A | 公開(公告)日: | 2014-04-30 |
| 發明(設計)人: | 加藤太朗 | 申請(專利權)人: | 佳能株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L27/14;H04N5/369 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 曾琳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固態 圖像傳感器 | ||
1.一種包括半導體層的固態圖像傳感器,所述傳感器包括:
第一類型的像素,所述第一類型的像素包括第一濾色器、反射透射通過第一濾色器的光的第一反射區域、以及布置在所述半導體層中的第一光電轉換部分,所述第一光電轉換部分位于第一濾色器與第一反射區域之間;以及
第二類型的像素,所述第二類型的像素包括第二濾色器、反射透射通過第二濾色器的光的第二反射區域、以及布置在所述半導體層中的第二光電轉換部分,所述第二光電轉換部分位于第二濾色器與第二反射區域之間,
其中,與第一濾色器的最大透射率相應的波長比與第二濾色器的最大透射率相應的波長短,并且第一反射區域的面積小于第二反射區域的面積。
2.根據權利要求1所述的傳感器,其中,所述半導體層包括第一面和第二面,
所述第一濾色器和所述第二濾色器布置在第二面一側,
所述第一類型的像素還包括形成在所述半導體層的第一面上以便讀出第一光電轉換部分的信號的晶體管,以及
所述第二類型的像素還包括形成在所述半導體層的第一面上以便讀出第二光電轉換部分的信號的晶體管。
3.根據權利要求1所述的傳感器,其中,所述半導體層包括第一面和第二面,
所述第一濾色器和所述第二濾色器布置在第二面一側,以及
所述第一反射區域和所述第二反射區域中的至少一個由布置在第一面一側的布線層形成。
4.根據權利要求1所述的傳感器,其中,所述半導體層包括第一面和第二面,
所述第一濾色器和所述第二濾色器布置在第二面一側,
包括多個布線層的布線結構布置在第一面一側,以及
所述第一反射區域和所述第二反射區域由所述多個布線層中最靠近第一面的布線層形成。
5.根據權利要求1所述的傳感器,其中,所述半導體層包括第一面和第二面,
所述第一濾色器和所述第二濾色器布置在第二面一側,
所述第一反射區域和所述第二反射區域中的至少一個由布置在第一面一側的構件形成,以及
所述構件被施加固定電勢或者維持處于浮置狀態。
6.根據權利要求1所述的傳感器,還包括:
第三類型的像素,所述第三類型的像素包括第三濾色器、反射透射通過第三濾色器的光的第三反射區域、以及布置在所述半導體層中的第三光電轉換部分,所述第三光電轉換部分位于第三濾色器與第三反射區域之間,
其中,與第一濾色器的最大透射率相應的波長比與第三濾色器的最大透射率相應的波長短,并且第一反射區域的面積小于第三反射區域的面積。
7.根據權利要求1至6中的任何一個所述的傳感器,其中,所述第一反射區域和所述第二反射區域由含有作為主成分的鋁、銅、金、鎢、鈦和鉭中的一種的構件形成。
8.根據權利要求1至6中的任何一個所述的傳感器,其中,所述第一反射區域和所述第二反射區域由電介質多層膜形成。
9.根據權利要求1至8中的任何一個所述的傳感器,其中,所述半導體層的厚度不小于2μm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





