[發明專利]反射型掩模及其制造方法

有效

• 申請號: 201280041142.1
• 申請日: 2012-08-24
• 公開（公告）號: CN103748660B
• 公開（公告）日: 2016-11-23
• 發明（設計）人: 福上典仁;坂田陽;松井一晃;渡邊原太
• 申請（專利權）人: 凸版印刷株式會社
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;G03F1/24
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 楊宏軍

1.一種反射型掩模，具有：

基板；

在所述基板的一面的表面形成的多層反射層；

在所述多層反射層之上形成的保護層；以及

在所述保護層之上形成的吸收層，

在形成于所述吸收層的電路圖案區域的外側的至少一部分，具有遮光框，所述遮光框如下地構成：除去所述吸收層、所述保護層及所述多層反射層，且使所述多層反射層的遮光框內的開口寬度，比位于其上層的所述吸收層的開口寬度寬。

2.如權利要求1所述的反射型掩模，其中，

所述多層反射層的遮光框內的開口寬度，比位于其上層的所述吸收層的開口寬度寬所述多層反射層的膜厚的21%以上。

3.如權利要求1所述的反射型掩模，其中，

所述多層反射層的遮光框內的側壁形狀為倒錐形形狀。

4.如權利要求1所述的反射型掩模，其中，

所述多層反射層的遮光框內的側壁角度為，入射到掩模的EUV光不會向所述多層反射層的側壁直接入射的、－6度以上。

5.如權利要求1～4中任一項所述的反射型掩模，其中，

至少在未形成所述遮光框的區域，在所述基板的另一面還形成有導電膜。

6.一種反射型掩模的制造方法，包括：

在基板的一面之上形成多層反射層的工序；

在多層反射層之上形成吸收層的工序；

在所述多層反射層形成電路圖案的工序；以及

形成遮光框的工序：通過干法刻蝕或濕法刻蝕將所述電路圖案的外側的框狀區域的所述多層反射層和所述吸收層除去，直至所述基板的一面暴露，并使所述多層反射層的開口寬度比位于其上層的所述吸收層的開口寬度寬。

7.如權利要求6所述的反射型掩模的制造方法，其中，

在形成所述遮光框的工序之前，還包括預先進行所述遮光框內的所述多層反射層的貫穿及除去的刻入工序。

8.如權利要求6或7所述的反射型掩模的制造方法，其中，

在形成所述遮光框的工序中，使用包含氟原子的氣體對所述多層反射層進行干法刻蝕。

9.如權利要求8所述的反射型掩模的制造方法，其中，

所述包含氟原子的氣體是至少包含CF₄、C₂F₆、C₄F₈、C₅F₈、CHF₃、SF₆、ClF₃中的任一種的氣體。

10.如權利要求6或7所述的反射型掩模的制造方法，其中，

在形成所述遮光框的工序中，使用至少包含硝酸、磷酸、氫氟酸、硫酸、乙酸中的任一種的蝕刻液對所述多層反射層進行濕法刻蝕。

11.如權利要求6～10中任一項所述的反射型掩模的制造方法，其中，還包括：

在所述基板的另一面上形成導電膜的工序；和

在形成有所述遮光框的區域、形成導電膜除去區域的工序，所述導電膜除去區域是通過將所述導電膜除去直至所述基板的另一面暴露而形成的。

12.如權利要求11所述的反射型掩模的制造方法，其特征在于，

從所述基板的一面側或另一面側照射對所述基板具有透過性、對所述多層反射層、所述吸收層和所述導電膜為非透過性的激光，除去所述多層反射層、所述吸收層和所述導電膜，由此，一并進行形成所述遮光框的工序和形成所述導電膜除去區域的工序。

13.如權利要求12所述的反射型掩模的制造方法，其特征在于，

在形成所述電路圖案的工序之前，進行形成所述遮光框的工序和形成所述導電膜除去區域的工序。

14.如權利要求12所述的反射型掩模的制造方法，其特征在于，

在形成電路圖案的工序之后，進行形成所述遮光框的工序和形成所述導電膜除去區域的工序。

15.如權利要求12所述的反射型掩模的制造方法，其特征在于，

所述激光使用基于YAG激光或CO₂激光的激光。