[發明專利]半導體裝置的制造方法、塊狀層疊體和依次層疊體

在審

• 申請號: 201280040614.1
• 申請日: 2012-08-24
• 公開（公告）號: CN103748683A
• 公開（公告）日: 2014-04-23
• 發明（設計）人: 中村謙介;和布浦徹;石村陽二
• 申請（專利權）人: 住友電木株式會社
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L21/60;H01L25/07;H01L25/18
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 苗堃;金世煜

1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

準備工序，準備第一半導體塊、第一樹脂層、第二半導體塊、第二樹脂層和第三半導體塊，所述第一半導體塊排列有多個第一半導體部件且具有第二半導體部件連接用端子，所述第二半導體塊排列有多個第二半導體部件且在一面側具有第一半導體部件連接用端子并在另一面側具有第三半導體部件連接用端子，所述第三半導體塊排列有多個第三半導體部件且具有第二半導體部件連接用端子，

依次層疊工序，通過依次層疊所述第一半導體塊、所述第一樹脂層、所述第二半導體塊、所述第二樹脂層、所述第三半導體塊，并粘接其層間而得到塊狀層疊體，和

由所述塊狀層疊體得到單個層疊體的工序，所述單個層疊體是所述第一半導體部件的第二半導體部件連接用端子和所述第二半導體部件的第一半導體部件連接用端子間、所述第二半導體部件的第三半導體部件連接用端子和所述第三半導體部件的第二半導體部件連接用端子間被焊接、且被切斷成層疊的半導體部件單元的層疊體。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述依次層疊工序是如下工序：

在所述第一半導體塊上依次層疊所述第一樹脂層、所述第二半導體塊后，進行加熱，介由半固化狀態的所述第一樹脂層粘接所述第一半導體塊和所述第二半導體塊，

在所述第二半導體塊上依次層疊所述第二樹脂層、所述第三半導體塊后，進行加熱，介由半固化狀態的所述第二樹脂層粘接所述第二半導體塊和所述第三半導體塊，由此得到所述塊狀層疊體。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置的制造方法，其中，進一步包括：將被焊接的所述單個層疊體設置在基材上的工序和將所述單個層疊體與所述基材接合的基材接合工序。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中，

在所述依次層疊工序的前段，

在所述第二半導體塊的形成有第一半導體部件連接用端子的面和所述第一半導體塊的設有第二半導體部件連接用端子的面中的至少任一面上設置構成所述第一樹脂層的樹脂層，

在所述第三半導體塊的形成有第二半導體部件連接用端子的面和所述第二半導體塊的設有第三半導體部件連接用端子的面中的至少任一面上設置構成所述第二樹脂層的樹脂層。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述塊狀層疊體是所述第一半導體部件的第二半導體部件連接用端子和所述第二半導體部件的第一半導體部件連接用端子中的至少任一方具有焊料層且所述第二半導體部件的第三半導體部件連接用端子和所述第三半導體部件的第二半導體部件連接用端子中的至少任一方具有焊料層的塊狀層疊體，

得到所述單個層疊體的工序包括以下工序：

塊狀層疊體接合工序，將所述塊狀層疊體加熱到所述焊料層的熔點以上，對所述第一半導體部件的第二半導體部件連接用端子和所述第二半導體部件的第一半導體部件連接用端子間、所述第二半導體部件的第三半導體部件連接用端子和所述第三半導體部件的第二半導體部件連接用端子間進行焊接，和

切斷工序，在所述塊狀層疊體接合工序后，通過將所述塊狀層疊體切斷成層疊的半導體部件單元而得到單個層疊體。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其中，

所述第一樹脂層、所述第二樹脂層分別含有熱固性樹脂，

在所述塊狀層疊體接合工序中，將所述第一半導體塊和所述第二半導體塊介由所述第一樹脂層粘接且所述第二半導體塊和所述第三半導體塊介由所述第二樹脂層粘接的所述塊狀層疊體加熱而進行焊接，同時進行所述第一樹脂層和所述第二樹脂層的固化。

7.根據權利要求5或6所述的半導體裝置的制造方法，其中，

在所述塊狀層疊體接合工序中，在一對夾壓部件中的一方的夾壓部件的上方設置所述塊狀層疊體，并且用另一方的夾壓部件和所述一方的夾壓部件夾壓所述塊狀層疊體，并加熱，進行焊接，同時進行所述第一樹脂層和所述第二樹脂層的固化。

8.根據權利要求5～7中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中，

在所述塊狀層疊體接合工序中，一邊利用流體對所述塊狀層疊體加壓，一邊進行加熱，進行焊接。