[發(fā)明專利]連續(xù)式蒸鍍裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201280039982.4 | 申請日: | 2012-09-06 |
| 公開(公告)號: | CN103732787A | 公開(公告)日: | 2014-04-16 |
| 發(fā)明(設計)人: | 北村一樹;宮川展幸;西森泰輔;渡邊兼一郎 | 申請(專利權)人: | 松下電器產業(yè)株式會社 |
| 主分類號: | C23C14/24 | 分類號: | C23C14/24;H01L51/50;H05B33/10 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 王成坤;胡建新 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 連續(xù) 式蒸鍍 裝置 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及使蒸鍍材料蒸鍍于基板等被蒸鍍體來形成薄膜的連續(xù)式(inline)蒸鍍裝置。
背景技術
連續(xù)式蒸鍍裝置為如下裝置,即,在腔室內配置包含蒸鍍材料的蒸發(fā)源,并且以一定速度輸送基板等的被蒸鍍體,在減壓狀態(tài)下對蒸發(fā)源進行加熱使蒸鍍材料氣化,使蒸鍍材料沉積于被蒸鍍體的表面,從而形成薄膜。然而,從蒸發(fā)源氣化出的蒸鍍材料的一部分有時不朝向被蒸鍍體行進而不附著在被蒸鍍體的表面。這種不附著在被蒸鍍體的蒸鍍材料變多后,成為材料的使用效率降低以及蒸鍍速度降低的原因。
因此,已知有如下蒸鍍裝置,即,以筒狀體包圍蒸發(fā)源與被蒸鍍體相對置的空間,以蒸鍍材料被再次氣化的溫度對該筒狀體加熱,使得氣化后的蒸鍍材料穿過筒狀體內而蒸鍍到被蒸鍍體的表面(例如,參照專利文獻1等)。
在先技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2003-129224號公報
發(fā)明的概要
發(fā)明要解決的課題
然而,例如,在有機EL器件等的制造中,在用蒸鍍裝置制作有機半導體層時,為了生產率的提高,需要高速將有機材料蒸鍍于被蒸鍍體。為此,需要使被蒸鍍體接近蒸發(fā)源并且使蒸發(fā)源的溫度比蒸鍍材料的升華溫度高很多。但是,在使被蒸鍍體接近蒸發(fā)源并提高蒸發(fā)源的溫度后,被蒸鍍體將暴露于來自達到高溫的蒸發(fā)源的輻射熱中。
此外,在上述專利文獻1所示的蒸鍍裝置中,在蒸發(fā)源與被蒸鍍體之間設置的筒狀體也被加熱到蒸鍍材料氣化的高溫以避免其表面附著蒸鍍材料,所以被蒸鍍體也暴露于來自筒狀體的輻射熱中。
在被蒸鍍體的溫度由于來自這些蒸發(fā)源及/或筒狀體的輻射熱而上升后,例如,有時設置于被蒸鍍體的掩模膨脹而圖案刻畫變得不精確、或附著于被蒸鍍體的蒸鍍材料局部地再氣化而蒸鍍膜的厚度變得不均勻。上述情況的結果是,蒸鍍于被蒸鍍體的薄膜的膜質劣化,使用了該被蒸鍍體的器件的性能也可能降低。
發(fā)明內容
本發(fā)明解決上述課題,目的在于提供即使使被蒸鍍體接近達到高溫的蒸發(fā)源以及筒狀體也能夠抑制被蒸鍍體的溫度上升并能夠高效地生產可靠性高的被蒸鍍體的連續(xù)式蒸鍍裝置。
用于解決課題的手段
為了解決上述課題,本發(fā)明的連續(xù)式蒸鍍裝置,其特征在于,具備:蒸發(fā)源,蒸發(fā)將被蒸鍍于被蒸鍍體的蒸鍍材料;筒狀體,包圍所述蒸發(fā)源以及所述被蒸鍍體之間的空間,在所述被蒸鍍體側具有開口部;以及修正板,設置于所述筒狀體的開口部附近,對從所述筒狀體放射的所述蒸鍍材料的量進行控制,在比所述修正板更靠所述被蒸鍍體側,設置有輻射熱擴散板。
優(yōu)選的是,在上述連續(xù)式蒸鍍裝置中,所述輻射熱擴散板具有冷卻裝置。
優(yōu)選的是,在上述連續(xù)式蒸鍍裝置中,所述冷卻裝置是水冷機構。
優(yōu)選的是,在上述連續(xù)式蒸鍍裝置中,具備多個所述輻射熱擴散板,該多個輻射熱擴散板具有俯視時重疊的部分。
優(yōu)選的是,在上述連續(xù)式蒸鍍裝置中,所述多個輻射熱擴散板在所述被蒸鍍體的輸送方向的上游側和下游側,在同一平面上分隔配置而形成擴散板對。
優(yōu)選的是,在上述連續(xù)式蒸鍍裝置中,層疊了多個所述擴散板對,所述被蒸鍍體側的擴散板對的分隔距離,比所述蒸發(fā)源側的擴散板對的分隔距離大。
優(yōu)選的是,在上述連續(xù)式蒸鍍裝置中,所述輻射熱擴散板具有從所述筒狀體的開口部的周緣向外方延伸的延伸部。
優(yōu)選的是,在上述連續(xù)式蒸鍍裝置中,還具備冷卻板,該冷卻板設置于在俯視時與所述輻射熱擴散板的延伸部重疊的位置,所述冷卻板將來自所述輻射熱擴散板的輻射熱排出。
優(yōu)選的是,在上述連續(xù)式蒸鍍裝置中,所述冷卻板具有與所述輻射熱擴散板連接的連接部,所述連接部使熱從所述輻射熱擴散板向所述冷卻板傳導。
優(yōu)選的是,在上述連續(xù)式蒸鍍裝置中,所述冷卻板形成于比所述輻射熱擴散板更靠所述蒸鍍源側。
優(yōu)選的是,在上述連續(xù)式蒸鍍裝置中,所述輻射熱擴散板在俯視時與所述筒狀體重疊的位置具有實施了鏡面化處理的鏡面區(qū)域。
優(yōu)選的是,在上述連續(xù)式蒸鍍裝置中,所述輻射熱擴散板在俯視時與所述冷卻板重疊的位置具有實施了粗面化處理的粗面區(qū)域。
優(yōu)選的是,在上述連續(xù)式蒸鍍裝置中,所述修正板具有從該修正板的開口部側端部向所述被蒸鍍體方向延伸的開口延伸部。
發(fā)明的效果
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





