[發明專利]用于使金屬納米簇生長的先進納米技術

無效

• 申請號: 201280039485.4
• 申請日: 2012-06-25
• 公開（公告）號: CN103732530A
• 公開（公告）日: 2014-04-16
• 發明（設計）人: J·威爾金森
• 申請（專利權）人: JTW有限責任公司
• 主分類號: B82Y30/00
• 分類號: B82Y30/00;B03C3/10;B03C3/12
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 趙蓉民

1.一種用于使納米簇生長的裝置，所述裝置包括：

一對被電極對間距分離的電極；

在整個所述電極上產生電暈放電的場生成模塊，所述電暈放電在所述電極附近產生電磁場，所述電極上的電壓電勢包括中壓，所述場生成模塊包括

生成中壓波形的中壓模塊，所述中壓波形被傳送至所述電極，以產生所述電暈放電；以及

生成所述中壓波形內的廣譜頻率的寬頻生成模塊；以及進料原材料顆粒穿過所述電磁場的原材料進料機模塊，具有所述廣譜頻率的所述電磁場可將穿過所述電磁場進料的所述原材料的至少一部分分離成自由原子。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中所述場生成模塊還包括生成所述中壓波形內的一個或多個吸引頻率的元素吸引模塊，其中每個吸引頻率包括選擇用于引起特定元素原子內諧振的頻率，所述原材料包括所述特定元素的原子，其中所述吸引頻率可引起所述特定元素的原子在所述電極之間諧振并以納米簇的形式聚集在一起。

3.根據權利要求1所述的裝置，其中所述電極對包括一組兩對或更多對電極中的一對電極。

4.根據權利要求3所述的裝置，其中每個電極對被電極對間距分離，每對電極被電極對-電極對間距分離，其中每對電極以第一取向方向取向，各對電極之間的所述電極對-電極對間距的方向垂直于所述電極對間距。

5.根據權利要求3所述的裝置，其中所述場生成模塊還包括調節傳送至每對電極的所述中壓波形的工作周期的工作周期模塊，其中所述工作周期包括開啟時間和關閉時間，所述開啟時間和所述關閉時間構成工作周期，所述開啟時間包括所述中壓波形被傳送至一對電極時的一段時間，所述關閉時間包括不將所述中壓波形傳送至所述電極對的時間，其中一對電極的所述工作周期的開始時間與其他電極對的所述工作周期的其他開始時間錯開。

6.根據權利要求5所述的裝置，其中所述電極對組包括三對或更多對電極，并且其中所述工作周期模塊還包括使工作周期交替以形成在中壓波形被傳送至各對電極時的環形模式工作周期的氣旋模塊。

7.根據權利要求5所述的裝置，其中所述工作周期的倒數包括工作周期頻率，并且其中所述中壓波形的開關頻率為高于所述工作周期頻率的頻率。

8.根據權利要求3所述的裝置，其中所述中壓模塊將輸入電壓轉換成一個或多個中壓、直流(“DC”)波形，每個波形被傳送至一對電極，每個波形包括多個諧波頻率。

9.根據權利要求3所述的裝置，其中所述場生成模塊還包括平衡所述電極對組中的各對電極之間的功率的功率平衡模塊。

10.根據權利要求3所述的裝置，其中所述兩對或更多對電極的組布置在反應室周圍，其中每個電極的末端最靠近所述反應室，其中一對電極中的每個電極包括正極和負極，并且其中所述電極對組中的所述正極布置在第一平面中，所述電極對組中的所述負極布置在第二平面中。

11.根據權利要求10所述的裝置，其中所述反應室包括側面，所述側面被構造用于在所述原材料顆粒穿過所述電磁場時容納所述原材料顆粒。

12.根據權利要求1所述的裝置，其中所述電極對垂直取向。

13.根據權利要求12所述的裝置，其中所述原材料進料機進料所述原材料顆粒垂直穿過所述電磁場，其中重力推動所述原材料顆粒穿過所述電磁場。

14.根據權利要求1所述的裝置，其中所述場生成模塊還包括放大所述中壓波形內的諧波頻率的電磁諧振放大器。

15.根據權利要求14所述的裝置，其中所述電磁諧振放大器包括具有非導電涂層的矩形帶，所述矩形帶卷繞成線圈，所述線圈包括所述矩形帶的第一半，所述第一半纏繞在所述矩形帶的第二半周圍，并在中心連接，其中電流進入所述矩形帶的所述第一半并圍繞所述線圈的所述中心行進，然后在所述矩形帶的所述第二半中以反向行進并離開所述矩形帶的所述第二半，其中所述矩形帶的相鄰部分之間的間距至少部分地基于所述非導電涂層形成電容耦合。

16.根據權利要求1所述的裝置，其中所述場生成模塊還包括使所述中壓波形內的電子自旋對齊的電子自旋模塊。

17.根據權利要求16所述的裝置，其中所述電子自旋模塊通過在將中壓波形輸送至電極的導體中產生誘導磁場而使所述中壓波形內的所述電子自旋對齊。