[發明專利]疊層型光電轉換裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201280039241.6
• 申請日: 2012-08-10
• 公開（公告）號: CN103733356A
• 公開（公告）日: 2014-04-16
• 發明（設計）人: 松田高洋;大谷哲史;后藤雅博
• 申請（專利權）人: 株式會社鐘化
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/20
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張永新

1.一種疊層型光電轉換裝置的制造方法，所述疊層型光電轉換裝置從光入射側至少具有前方光電轉換單元和后方光電轉換單元，其中，

所述疊層型光電轉換裝置的制造方法包括：通過等離子體CVD法形成前方光電轉換單元的工序，和在所述前方光電轉換單元上，通過等離子體CVD法形成后方光電轉換單元的工序，

所述前方光電轉換單元形成工序中，依次形成一導電型層、實質上本征的非晶體硅類光電轉換層、以及逆導電型層，并且前方光電轉換單元的逆導電型層的至少與后方光電轉換單元相接的一側，是在含有硅和氧的非晶體合金中混合存在有硅結晶相的硅復合層，

所述后方光電轉換單元形成工序中，依次形成晶體的一導電型層、實質上本征的晶體硅類光電轉換層、以及逆導電型層，

形成所述硅復合層后，不取出至大氣中，而是在同一制膜室內，形成后方光電轉換單元的晶體的一導電型層和晶體硅類光電轉換層，

所述后方光電轉換單元的晶體硅類光電轉換層的碳濃度為1×10¹⁷atm/cm³以下，氧濃度為2×10¹⁸atm/cm³以下。

2.根據權利要求1所述的疊層型光電轉換裝置的制造方法，其中，所述后方光電轉換單元的晶體硅類光電轉換層的形成開始時的功率密度，是所述前方光電轉換單元的硅復合層形成時的功率密度的0.1倍以上且小于1倍的范圍。

3.根據權利要求1或2所述的疊層型光電轉換裝置的制造方法，其中，所述后方光電轉換單元的晶體硅類光電轉換層的形成開始時的制膜壓力，比所述前方光電轉換單元的硅復合層形成時的制膜壓力高。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的疊層型光電轉換裝置的制造方法，其中，所述后方光電轉換單元的晶體硅類光電轉換層的形成初期部分,以前方光電轉換單元的硅復合層形成時的功率密度的0.1倍以上且小于1倍的功率密度進行制膜，然后剩余的主體部分以比形成初期部分高的功率密度進行制膜。

5.根據權利要求4所述的疊層型光電轉換裝置的制造方法，其中，所述后方光電轉換單元的晶體硅類光電轉換層的所述主體部分形成時的功率密度，是所述前方光電轉換單元的硅復合層形成時的功率密度以上。

6.一種疊層型光電轉換裝置的制造方法，所述疊層型光電轉換裝置從光入射側至少具有前方光電轉換單元和后方光電轉換單元，其中，

所述疊層型光電轉換裝置的制造方法包括：通過等離子體CVD法形成前方光電轉換單元的工序，和在所述前方光電轉換單元上通過等離子體CVD法形成后方光電轉換單元的工序，

所述前方光電轉換單元形成工序中，依次形成一導電型層、實質上本征的非晶體硅類光電轉換層、以及逆導電型層，并且前方光電轉換單元的逆導電型層的至少與后方光電轉換單元相接的一側，是在含有硅和氧的非晶體合金中混合存在有硅結晶相的硅復合層，

所述后方光電轉換單元形成工序中，依次形成晶體的一導電型層、實質上本征的晶體硅類光電轉換層、以及逆導電型層，

形成所述硅復合層后，不取出至大氣中，而是在同一制膜室內，形成后方光電轉換單元的晶體的一導電型層和晶體硅類光電轉換層，

后方光電轉換單元的晶體硅類光電轉換層的形成開始時的功率密度，是前方光電轉換單元的硅復合層形成時的功率密度的0.1倍以上且小于1倍的范圍。

7.根據權利要求6所述的疊層型光電轉換裝置的制造方法，其中，所述后方光電轉換單元的晶體硅類光電轉換層的形成開始時的制膜壓力，比所述前方光電轉換單元的硅復合層形成時的制膜壓力高。

8.根據權利要求6或7所述的疊層型光電轉換裝置的制造方法，其中，所述后方光電轉換單元的晶體硅類光電轉換層的形成初期部分，以前方光電轉換單元的硅復合層形成時的功率密度的0.1倍以上且小于1倍的功率密度進行制膜，然后剩余的主體部分以比形成初期部分高的功率密度進行制膜。

9.根據權利要求8所述的疊層型光電轉換裝置的制造方法，其中，所述后方光電轉換單元的晶體硅類光電轉換層的所述主體部分形成時的功率密度，是所述前方光電轉換單元的硅復合層形成時的功率密度以上。