[發(fā)明專利]太陽能電池基底、其制備方法以及使用其的太陽能電池無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201280038999.8 | 申請日: | 2012-06-08 |
| 公開(公告)號: | CN103733350A | 公開(公告)日: | 2014-04-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 金慶保;樸永俊;白濟(jì)焄;金鐘常;金泳根 | 申請(專利權(quán))人: | POSCO公司 |
| 主分類號: | H01L31/0392 | 分類號: | H01L31/0392;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京北翔知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11285 | 代理人: | 侯婧;鐘守期 |
| 地址: | 韓國慶尚*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 太陽能電池 基底 制備 方法 以及 使用 | ||
1.一種太陽能電池基底,其包括:
底部基底;
位于底部基底的頂部上的底部電極;和
在底部基底和底部電極之間的金屬擴(kuò)散阻擋層,其包括一層或多層金屬層,其中當(dāng)所述金屬擴(kuò)散阻擋層包括兩層或更多層金屬層時,彼此接觸的金屬層可以具有不同的金屬。
2.權(quán)利要求1的太陽能電池基底,其中所述擴(kuò)散阻擋層的所述一層或多層金屬層中含有Na。
3.權(quán)利要求2的太陽能電池基底,其中Na包含在與底部電極接觸的金屬層中。
4.權(quán)利要求2的太陽能電池基底,其中Na的含量為0.0005重量%至0.1重量%。
5.權(quán)利要求1的太陽能電池基底,其中包括兩層或更多層金屬層的擴(kuò)散阻擋層在所述至少兩層或更多層金屬層之間還含有氧化物層。
6.權(quán)利要求5的太陽能電池基底,其中所述氧化物層由SiOx、SiNx以及Al2O3中的任一種形成。
7.權(quán)利要求1的太陽能電池基底,其中所述兩層或更多層金屬層具有彼此不同的金屬材料。
8.權(quán)利要求1的太陽能電池基底,其中所述金屬為Cr、Ti、Ni和Mo中的任一種。
9.權(quán)利要求1的太陽能電池基底,其中所述擴(kuò)散阻擋層的厚度為100至500nm,并且,當(dāng)所述擴(kuò)散阻擋層包括兩層或更多層時,每層金屬層的厚度為10nm或更高。
10.權(quán)利要求1的太陽能電池基底,其中所述底部電極選自玻璃、不銹鋼、鋁箔、Fe-Ni基金屬、Fe-Cu基金屬以及聚酰亞胺。
11.一種太陽能電池,其包括:
太陽能電池基底,其包括底部基底、位于底部基底的頂部上的底部電極和形成于底部基底和底部電極之間的金屬擴(kuò)散阻擋層,所述金屬擴(kuò)散阻擋層包括一層或多層金屬層,當(dāng)所述金屬擴(kuò)散阻擋層包括兩層或更多層金屬層時,彼此接觸的金屬層可以具有不同的金屬;
p-型吸光層,其位于太陽能電池基底上;
n-型緩沖層,其位于吸光層上;
透明窗,其位于緩沖層上;和
頂部電極,其位于透明窗上。
12.權(quán)利要求11的太陽能電池,其中所述擴(kuò)散阻擋層的所述一層或多層金屬層中含有Na。
13.權(quán)利要求12太陽能電池,其中包括兩層或更多層金屬層的擴(kuò)散阻擋層在所述兩層或更多層金屬層之間還含有氧化物層。
14.權(quán)利要求13的太陽能電池,其中所述氧化物層由SiOx、SiNx以及Al2O3中的任一種形成。
15.權(quán)利要求11的太陽能電池,其中吸光層包含CIGS,緩沖層作為n型半導(dǎo)體包含CdS,并且透明窗包含ZnO。
16.一種制備太陽能電池基底的方法,所述方法包括:
將含Na金屬粒子分散在用于電鍍的電解液中;且
通過使用所述分散有含Na金屬粒子的電解液在底部基底上進(jìn)行電鍍,并在底部基底上形成含Na的金屬層,從而制備擴(kuò)散阻擋層。
17.權(quán)利要求16的方法,其中所述含Na金屬粒子為氧化鈉(NaO2)。
18.權(quán)利要求17的方法,其中所述氧化鈉(NaO2)的粒子直徑為10至100nm。
19.權(quán)利要求17的方法,其中分散的氧化鈉的粒子濃度為0.1至100g/L。
20.權(quán)利要求16的方法,其中電鍍過程包括:
溶解待電鍍的金屬鹽,使得金屬鹽具有的金屬離子濃度為1至100g/L;
將分散有含Na金屬粒子的電鍍浴加熱,使得電鍍浴達(dá)到50至60℃的溫度,并通過向電鍍浴施加電流密度為0.1至100A/dm2的電流而實(shí)施電鍍操作。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





