[發(fā)明專利]提供裂紋檢測(cè)用預(yù)測(cè)模型的方法和檢測(cè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上的裂紋的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201280038885.3 | 申請(qǐng)日: | 2012-06-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103733322B | 公開(公告)日: | 2017-11-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馬西亞斯·德瑪;S·瑞恩;喬納斯·克里施 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 弗勞恩霍弗實(shí)用研究促進(jìn)協(xié)會(huì);弗賴堡阿爾伯特-路德維格大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L21/66 | 分類號(hào): | H01L21/66;G01N21/95;G01N21/64;G01N21/93;G06T7/00 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11270 | 代理人: | 武晨燕,徐川 |
| 地址: | 德國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 提供 裂紋 檢測(cè) 預(yù)測(cè) 模型 方法 半導(dǎo)體 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種用于提供用于在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上的裂紋檢測(cè)的預(yù)測(cè)模型的方法,所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)是光伏太陽(yáng)能電池或制造過(guò)程中的光伏太陽(yáng)能電池的前級(jí)物,
該方法包括以下方法步驟:
A.提供參照半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),該參照半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有至少一個(gè)裂紋;
B.提供關(guān)于所述至少一個(gè)裂紋的裂紋數(shù)據(jù),該裂紋數(shù)據(jù)包含與裂紋在該參照半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上的位置有關(guān)的幾何位置數(shù)據(jù);
C.通過(guò)空間分辨測(cè)量在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中所產(chǎn)生的光致發(fā)光的多個(gè)局部測(cè)量點(diǎn)和/或通過(guò)空間分辨測(cè)量該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的IR吸收來(lái)空間分辨測(cè)量該參照半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),和
D.通過(guò)依據(jù)在方法步驟C中求出的空間分辨的測(cè)量數(shù)據(jù)并且依據(jù)在方法步驟B中提供的裂紋數(shù)據(jù)進(jìn)行學(xué)習(xí)算法的訓(xùn)練來(lái)建立預(yù)測(cè)模型,其中,該學(xué)習(xí)算法的訓(xùn)練包括以下方法步驟:
D1.通過(guò)下述方式建立用于至少一個(gè)局部描述符點(diǎn)的至少一個(gè)描述符,即,針對(duì)該局部描述符點(diǎn)設(shè)定或者確定一個(gè)檢查區(qū),并且依據(jù)該檢查區(qū)內(nèi)的測(cè)量數(shù)據(jù)建立該描述符,該描述符是特征矢量和/或特征分布和/或特征直方圖,和
D2.利用該描述符和該裂紋數(shù)據(jù)訓(xùn)練該學(xué)習(xí)算法;
其中,晶界的幾何位置作為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)內(nèi)的晶界數(shù)據(jù)來(lái)設(shè)定和/或借助空間分辨測(cè)量方法來(lái)確定,并且
如此依據(jù)晶界數(shù)據(jù)來(lái)進(jìn)行加權(quán),
-在方法步驟D中的描述符建立時(shí),不考慮位于晶界上的局部點(diǎn),或者以比其余局部點(diǎn)低的權(quán)重考慮位于晶界上的局部點(diǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)是由用于制造太陽(yáng)能電池的半導(dǎo)體材料形成的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述至少一個(gè)局部描述符點(diǎn)通過(guò)關(guān)鍵點(diǎn)搜尋方法來(lái)確定,所述關(guān)鍵點(diǎn)搜尋方法是SIFT方法、GLOH方法和SURF方法中的至少一個(gè)方法。
4.一種用于檢測(cè)在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上的裂紋的方法,該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)是光伏太陽(yáng)能電池或制造過(guò)程中的光伏太陽(yáng)能電池前級(jí)物,該方法包括以下方法步驟:
A.提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu);
B.提供根據(jù)權(quán)利要求1建立的預(yù)測(cè)模型,該預(yù)測(cè)模型是通過(guò)學(xué)習(xí)算法的訓(xùn)練來(lái)建立的;
C.通過(guò)空間分辨測(cè)量在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中所產(chǎn)生的光致發(fā)光的多個(gè)局部測(cè)量點(diǎn)和/或通過(guò)空間分辨測(cè)量該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的IR吸收來(lái)空間分辨測(cè)量該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu);
D.針對(duì)至少一個(gè)局部檢查點(diǎn)確定在該局部檢查點(diǎn)上是否有裂紋,包括以下的方法步驟:
D1.通過(guò)下述方式建立該局部檢查點(diǎn)的至少一個(gè)描述符,即,針對(duì)該局部檢查點(diǎn)設(shè)定或確定一個(gè)檢查區(qū)并且結(jié)合該檢查區(qū)內(nèi)的測(cè)量數(shù)據(jù)建立該描述符,該描述符是特征矢量和/或特征分布和/或特征直方圖,和
D2.利用該描述符和預(yù)測(cè)模型來(lái)確定在該局部檢查點(diǎn)是否有裂紋。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)是由用于制造太陽(yáng)能電池的半導(dǎo)體材料形成的。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,當(dāng)根據(jù)方法步驟D檢測(cè)裂紋時(shí),在方法步驟E內(nèi)按照求出裂紋特性的幾何數(shù)據(jù)的方式進(jìn)行裂紋重建。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,在方法步驟E中針對(duì)局部檢查點(diǎn)周圍的一個(gè)局部重建區(qū)域?qū)τ谠撝亟▍^(qū)內(nèi)的每個(gè)測(cè)量點(diǎn)確定出方位并且借助通過(guò)圖案識(shí)別手段的與星形圖案的相似性比較來(lái)確定對(duì)應(yīng)于該裂紋的測(cè)量點(diǎn)。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,該至少一個(gè)局部檢查點(diǎn)是利用關(guān)鍵點(diǎn)搜尋方法來(lái)確定的。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,該關(guān)鍵點(diǎn)搜尋方法是SIFT方法、GLOH方法和SURF方法中的至少一個(gè)方法。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其特征在于,該關(guān)鍵點(diǎn)搜尋方法是利用能夠控制方位的濾波器來(lái)實(shí)現(xiàn)的。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其特征在于,所述濾波器是條形圖濾波器。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其特征在于,該條形圖濾波器采用高斯濾波器的導(dǎo)數(shù)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法,其特征在于,該導(dǎo)數(shù)是二階導(dǎo)數(shù)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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