[發(fā)明專利]13族元素氮化物膜的剝離方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280038697.0
• 申請日: 2012-07-13
• 公開（公告）號: CN103732809A
• 公開（公告）日: 2014-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 巖井真;平尾崇行;吉野隆史
• 申請（專利權(quán)）人: 日本礙子株式會社
• 主分類號: C30B29/38
• 分類號: C30B29/38;C30B19/02;C30B33/08;H01L21/02;H01L33/00
• 代理公司: 上海市華誠律師事務(wù)所 31210
• 代理人: 李曉

1.一種13族元素氮化物膜的剝離方法，是對于在晶種基板上設(shè)有13族元素氮化物膜的層積體，從所述晶種基板的背面一側(cè)照射激光，通過激光剝離法，將所述13族元素氮化物膜從所述晶種基板剝離的方法，所述13族元素氮化物膜是在晶種基板上，通過助熔劑法，由含有助熔劑以及13族元素的熔液，在含氮?dú)夥障屡囵B(yǎng)而成；其特征在于，

所述13族元素氮化物膜含有：設(shè)置在所述13族元素氮化物膜的自所述晶種基板一側(cè)的界面起50μm以下的區(qū)域、分布有來自所述熔液成分的夾雜物的夾雜物分布層，以及設(shè)置在該夾雜物分布層上、所述夾雜物很少的夾雜物缺乏層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，沿著所述13族元素氮化物膜的橫截面觀察時(shí)，所述夾雜物分布層中的所述夾雜物的最大面積在60μm²以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述13族元素氮化物為氮化鎵、氮化鋁或氮化鋁鎵。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述13族元素氮化物中含有鍺、硅、氧中的至少1個(gè)，顯示n型。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，將所述夾雜物分布層的厚度設(shè)為1時(shí)，所述夾雜物缺乏層的厚度為20～0.1。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述晶種基板具備有單晶基板以及設(shè)置在該單晶基板上的晶種膜，在所述晶種膜上培養(yǎng)所述13族元素氮化物膜，從所述單晶基板的背面一側(cè)照射所述激光，令所述13族元素氮化物膜剝離。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，將所述13族元素氮化物膜從所述晶種基板剝離后，除去所述夾雜物分布層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～7任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在所述13族元素氮化物膜上形成n型半導(dǎo)體層、發(fā)光區(qū)域以及p型半導(dǎo)體層，然后將所述13族元素氮化物膜從所述晶種基板剝離。