[發(fā)明專利]用于制造薄層的裝置和方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280038501.8
• 申請日: 2012-07-26
• 公開（公告）號: CN104080946A
• 公開（公告）日: 2014-10-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: C·施密德;D·哈貝爾曼;J·豪恩格斯;C·阿特馬;T·斯圖爾特;K·普羅文查
• 申請（專利權(quán)）人: 吉布爾·施密德有限責任公司
• 主分類號: C23C16/458
• 分類號: C23C16/458;C23C16/54;C23C16/455;H01L31/18
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 周志明;楊國治

1.一種用于在襯底上制造薄層特別是用于制造太陽能電池的裝置，帶有：

-APCVD涂層裝置(13)，用于采用APCVD方法在高于250℃的溫度情況下敷設(shè)薄層；

-帶有輸送輪(28)的水平的輸送帶(27)，用于在連續(xù)運行中輸送襯底，所述輸送輪由耐熱的非金屬的材料構(gòu)成；和

-設(shè)置在輸送帶的背離APCVD涂層裝置的一側(cè)的加熱機構(gòu)(14)和/或噴淋氣體供應(yīng)機構(gòu)(34)。

2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，輸送帶由陶瓷材料構(gòu)成，或者用這種材料優(yōu)選氧化鋁被涂層。

3.如權(quán)利要求1或2所述的裝置，其特征在于，APCVD涂層裝置設(shè)置在輸送帶上方，加熱機構(gòu)和/或噴淋氣體供應(yīng)機構(gòu)在APCVD涂層裝置的區(qū)域中設(shè)置在輸送帶下方。

4.如前述權(quán)利要求中任一項所述的裝置，其特征在于，沿行進方向在APCVD涂層裝置之前設(shè)置有用于襯底的預(yù)熱機構(gòu)(20、21)，和/或在APCVD涂層裝置之后設(shè)置有用于襯底的后續(xù)加熱機構(gòu)(23、24)，特別是設(shè)置在輸送帶的與APCVD涂層裝置相同的一側(cè)。

5.如前述權(quán)利要求中任一項所述的裝置，其特征在于，沿著輸送帶以預(yù)定的距離彼此間隔開地設(shè)置有至少兩個APCVD涂層裝置(113a、113b)。

6.如權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，在每兩個APCVD涂層裝置之間設(shè)置有輸送帶的被加熱的區(qū)域，該區(qū)域設(shè)有布置在輸送帶上方的加熱機構(gòu)(125、126)。

7.如前述權(quán)利要求中任一項所述的裝置，其特征在于，APCVD涂層裝置被設(shè)計用于高于600℃、優(yōu)選高于800℃、特別是高于1000℃的沉積溫度。

8.如前述權(quán)利要求中任一項所述的裝置，其特征在于，作為加熱機構(gòu)，特別是在APCVD涂層裝置之外，設(shè)置帶有熱氣流優(yōu)選空氣、N₂或氣體混合物的加熱器。

9.如前述權(quán)利要求中任一項所述的裝置，其特征在于，在相應(yīng)的APCVD涂層裝置上設(shè)置有廢氣系統(tǒng)(15)。

10.如前述權(quán)利要求中任一項所述的裝置，其特征在于，噴淋氣體供應(yīng)機構(gòu)被設(shè)計用于特別是借助噴嘴從下面對襯底施加噴淋氣體。

11.如權(quán)利要求1-10中任一項所述的裝置，其特征在于，噴淋氣體供應(yīng)機構(gòu)被設(shè)計用于使得噴淋氣體作為用于加熱或冷卻襯底的調(diào)溫介質(zhì)對準襯底。

12.如前述權(quán)利要求中任一項所述的裝置，其特征在于，輸送帶可相對于余下的裝置向下下降。

13.一種用于利用根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項的裝置在連續(xù)運行中制造薄層的方法，其特征在于，作為薄層，

-制造介電的層，或者把該層敷設(shè)到襯底上，該層優(yōu)選選自如下組：SiO₂、Al₂O₃、SiN_x、AlN，或者

-在太陽能電池上敷設(shè)特別是作為TCO的導(dǎo)電的層，或者

-將摻雜層特別是P摻雜物、B摻雜物或Ge摻雜物敷設(shè)到作為襯底的太陽能電池上，或者

-在作為襯底的太陽能電池上敷設(shè)抗反射層，所述抗反射層特別是選自由SiN_x、MgO、MnO、TiO₂、ZrO₂、MoSi₂構(gòu)成的組。

14.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，在APCVD涂層裝置的區(qū)域中從下面對襯底施加噴淋氣體。