[發(fā)明專利]輻射成像系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280038351.0
• 申請日: 2012-08-02
• 公開（公告）號: CN103826540A
• 公開（公告）日: 2014-05-28
• 發(fā)明（設計）人: 張鉉晳
• 申請（專利權）人: 株式會社福微視
• 主分類號: A61B6/12
• 分類號: A61B6/12;G01T1/24;H01L31/101
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 吳小瑛;張福根

1.一種輻射成像系統(tǒng)，其包含：

a)輻射轉換器層；

b)位于輻射轉換器層上的頂部電極；和

c)電耦合至輻射轉換器層的像素單元陣列，

其中，所述輻射轉換器層包含：有機基質，其包含電荷傳遞材料(CTM)；和用于吸收輻射的閃爍粒子，其被分散在有機基質中，其中閃爍粒子與電荷產生材料(CGM)接觸。

2.如權利要求1所述的輻射成像系統(tǒng)，其中與閃爍粒子接觸的電荷產生材料(CGM)是以與有機基質中的電荷傳遞材料(CTM)形成的混合物形式存在。

3.如權利要求1所述的輻射成像系統(tǒng)，其中閃爍粒子在部分或全部表面涂覆有電荷產生材料(CGM)。

4.如權利要求3所述的輻射成像系統(tǒng)，其中涂覆到閃爍粒子上的電荷產生材料的厚度足以吸收超過約20%的由閃爍粒子發(fā)出的閃爍光。

5.如權利要求1所述的輻射成像系統(tǒng)，其中閃爍粒子包括硫氧化釓(GOS)、碘化銫(CsI)、碘化鈉(NaI)、鍺酸鉍(BGO)、硫化鋅(ZnS)、鎢酸鎘(CdWO₄或CWO)、LYSO(Lu_1.8Y_0.2SiO5(Ce))中的至少一種。

6.如權利要求1所述的輻射成像系統(tǒng)，其中閃爍粒子摻雜有摻雜物，所述摻雜物包括銪、鋱(Tb)、鐠(Pr)和鋰(Li)中的至少一種。

7.如權利要求7所述的輻射成像系統(tǒng)，其中經摻雜的閃爍粒子的發(fā)射光譜在CGM材料的吸收光譜范圍內。

8.如權利要求1所述的輻射成像系統(tǒng)，其中電荷產生材料是以下材料中的至少一種：氧鈦酞菁、喹啉類、卟啉類、喹吖啶酮類、二溴蒽嵌蒽醌顏料、方酸菁染料、二萘嵌苯二胺、紫環(huán)酮二胺、多核芳香醌、吡喃鎓鹽、硫代吡喃鎓鹽、偶氮顏料、三苯基甲烷類染料、硒、氧釩酞菁、氯鋁酞菁、銅酞菁、氧鈦酞菁、氯鎵酞菁、羥基鎵酞菁、鎂酞菁、無金屬酞菁、靛藍類顏料和它們的組合。

9.如權利要求1所述的輻射成像系統(tǒng)，其中電荷傳遞材料是以下材料中的至少一種：4,4’-TPD(三苯胺二聚體)、9-二氰基亞甲基-2,4,7-三硝基芴、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二(4-甲基-苯基)-聯苯胺、N,N'-二(萘-2-基)-N,N'-二(3-甲基-苯基)-聯苯胺、4,4'-(1,2-乙二亞基)-雙(2,6-二甲基-2,5-環(huán)己二烯-1-酮)、2-(1,1-二甲基乙基)-4-[3-(1,1-二甲基乙基)-5-甲基-4-氧代-2,5-環(huán)己二烯-1-亞基]-6-甲基-2,5-環(huán)己二烯-1-酮、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二(3-甲基-苯基)-聯苯胺、聚(3-辛基噻吩-2,5-二基)、聚(3-癸基噻吩-2,5-二基)、N-聯苯基-N-苯基-N-(3-甲基苯基)-胺、4-N,N-雙(4-甲基苯基)-氨基-苯甲醛-N,N-二苯基腙、對二苯基氨基苯甲醛-N-苯基-甲基-腙、N,N'-二苯基-N,N'-雙(3-羥基苯基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺、N,N'-二苯基-N,N'-雙(3-甲基苯基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺、N,N,N'N'-四(4-甲基苯基)-(1,1'-聯苯)-4,4'-二胺、4,4'-(3,4-二甲基苯基氮烷二基)雙(4,1-亞苯基)二甲醇、N,N'-雙(3-甲基苯基)-N,N'-雙(4-正丁基苯基l)-1,1'-三聯苯-4,4-二胺及它們的組合。

10.如權利要求1所述的輻射成像系統(tǒng)，其中CGM與CTM的重量比為約1:99至約95:5。

11.如權利要求1所述的輻射成像系統(tǒng)，其中閃爍粒子的平均直徑在約1至約100μm的范圍內。

12.如權利要求1所述的輻射成像系統(tǒng)，其中閃爍粒子在有機基質中的體積百分比為約10vol%至約95vol%。

13.如權利要求1所述的輻射成像系統(tǒng)，其中輻射是選自X-射線、γ-射線和電離輻射中的至少一種。

14.如權利要求1所述的輻射成像系統(tǒng)，其中輻射轉換器層的厚度為約5μm至約2000μm。

15.如權利要求1所述的輻射成像系統(tǒng)，其還包含位于輻射轉換器層和頂部電極之間的電荷注入阻擋層。