[發(fā)明專利]在涂布后研磨前切割無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201280038320.5 | 申請日： | 2012-07-25 |
| 公開（公告）號： | CN103999203A | 公開（公告）日： | 2014-08-20 |
| 發(fā)明（設計）人： | G·黃;Y·金;R·吉諾;Q·黃 | 申請（專利權）人： | 漢高知識產權控股有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L21/56 | 分類號： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 祁麗;于輝 |
| 地址： | 美國康*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 涂布后 研磨 切割 | ||
【權利要求書】：
1.將半導體晶圓單體化成單個半導體裸片的方法，所述半導體晶圓的頂部表面具有金屬預連接凸塊，并具有設置在所述金屬預連接凸塊上及周圍的底部填充劑的涂層，所述方法包括：
(A)提供半導體晶圓，該半導體晶圓的頂部表面具有金屬預連接凸塊的陣列和設置在所述金屬預連接凸塊上及周圍的底部填充劑的涂層；
(B)穿過所述金屬預連接凸塊之間的所述底部填充劑切割并切入所述半導體晶圓的頂部表面中至最終所需晶圓厚度，產生切割線；以及
(C)從晶圓背側除去晶圓材料至少至所述切割線的深度，從而由所述晶圓單體化得到的裸片。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
