[發(fā)明專利]安裝結(jié)構(gòu)及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201280038204.3 | 申請日: | 2012-08-08 |
| 公開(公告)號: | CN103718280A | 公開(公告)日: | 2014-04-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 櫻井大輔;后川和也;荻原清己 | 申請(專利權(quán))人: | 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 俞丹 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 安裝 結(jié)構(gòu) 及其 制造 方法 | ||
1.一種安裝結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:
具有多個第1電極端子的電子元器件;
具有多個第2電極端子的基板;以及
接合部,該接合部包含合金以及彈性模量比所述合金要低的金屬,并具有所述合金被彈性模量較低的所述金屬包圍的剖面結(jié)構(gòu),將所述第1電極端子與所述第2電極端子相連接。
2.如權(quán)利要求1所述的安裝結(jié)構(gòu),其特征在于,
至少一個所述接合部具有從所述第1電極端子側(cè)開始生長的合金與從所述第2電極端子側(cè)開始生長的合金相連的部分,該相連部分的合金被彈性模量較低的所述金屬包圍。
3.如權(quán)利要求1或2所述的安裝結(jié)構(gòu),其特征在于,
配置于所述電子元器件的外周部的至少一個所述接合部內(nèi)的、彈性模量較低的所述金屬的比率為最大的剖面上的彈性模量較低的所述金屬的比率比配置于所述電子元器件的中央部的至少一個所述接合部內(nèi)的、彈性模量較低的所述金屬的比率為最大的剖面上的彈性模量較低的所述金屬的比率要高。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的安裝結(jié)構(gòu),其特征在于,
所述接合部包含第1接合部及第2接合部,
在每單位時間流過所述第1接合部的電流的電流值大于每單位時間流過所述第2接合部的電流的電流值的情況下,所述第1接合部處的彈性模量較低的所述金屬的含有率比所述第2接合部處的彈性模量較低的所述金屬的含有率要低。
5.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的安裝結(jié)構(gòu),其特征在于,
所述接合部包含設(shè)置于所述電子元器件的所述第1電極端子上、在周邊部具有曲率的形狀的第1突起狀電極。
6.如權(quán)利要求5所述的安裝結(jié)構(gòu),其特征在于,
所述接合部還包含設(shè)置于所述基板的所述第2電極端子上、在周邊部具有曲率的形狀的第2突起狀電極。
7.如權(quán)利要求6所述的安裝結(jié)構(gòu),其特征在于,
彈性模量較低的所述金屬是焊料。
8.如權(quán)利要求5所述的安裝結(jié)構(gòu),其特征在于,
所述接合部還包含設(shè)置于所述基板的所述第2電極端子上的面狀電極。
9.如權(quán)利要求8所述的安裝結(jié)構(gòu),其特征在于,
彈性模量較低的所述金屬是焊料。
10.如權(quán)利要求5所述的安裝結(jié)構(gòu),其特征在于,
所述接合部還包含設(shè)置于所述基板的所述第2電極端子上的柱狀電極。
11.如權(quán)利要求10所述的安裝結(jié)構(gòu),其特征在于,
彈性模量較低的所述金屬是焊料。
12.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的安裝結(jié)構(gòu),其特征在于,
所述合金包含鎳錫合金,彈性模量較低的所述金屬包含錫。
13.如權(quán)利要求5所述的安裝結(jié)構(gòu),其特征在于,
所述第1突起狀電極包含鎳,所述合金包含鎳錫合金,彈性模量較低的所述金屬包含錫。
14.如權(quán)利要求6所述的安裝結(jié)構(gòu),其特征在于,
所述第1突起狀電極包含鎳,所述第2突起狀電極包含鎳,所述合金包含鎳錫合金,彈性模量較低的所述金屬包含錫。
15.如權(quán)利要求8所述的安裝結(jié)構(gòu),其特征在于,
所述第1突起狀電極包含鎳,所述面狀電極包含鎳,所述合金包含鎳錫合金,彈性模量較低的所述金屬包含錫。
16.如權(quán)利要求10所述的安裝結(jié)構(gòu),其特征在于,
所述第1突起狀電極包含鎳,所述柱狀電極包含銅,所述合金包含鎳錫合金、錫銅合金以及鎳錫銅合金,彈性模量較低的所述金屬包含錫。
17.如權(quán)利要求1至16中任一項所述的安裝結(jié)構(gòu),其特征在于,
所述合金在其表面具有微小的凹凸部。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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