[發明專利]電致發光有機晶體管

有效

• 申請號: 201280038021.1
• 申請日: 2012-07-26
• 公開（公告）號: CN103718327A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: M·默西尼;R·卡佩立;S·托法尼
• 申請（專利權）人: E.T.C.有限責任公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 陳華成

1.一種電致發光有機晶體管，包括：

-至少一個雙極性有機半導體層，適于第一種類型的電荷和第二種類型的電荷的傳輸和輻射復合；

-源極電極，適于注入所述第一種類型的電荷；

-漏極電極，適于注入所述第二種類型的電荷；

-所述源極電極和所述漏極電極與所述雙極性有機半導體層接觸；

-第一和第二控制電極；

-第一介電材料層，位于所述雙極性有機半導體層與所述第一和第二控制電極之間；

其特征在于所述電致發光有機晶體管包括：

-第三和第四控制電極；以及

-第二介電材料層，位于所述雙極性有機半導體層與所述第三和第四控制電極之間；

并且其特征還在于所述源極電極和所述漏極電極都位于與所述雙極性有機半導體層所處平面基本上平行的平面上。

2.如權利要求1所述的電致發光有機晶體管，其特征在于所述源極電極和所述漏極電極都與所述第一介電材料層或者與所述第二介電材料層接觸。

3.如權利要求1所述的電致發光有機晶體管，其特征在于所述雙極性有機半導體層的厚度在10nm與150nm之間。

4.如權利要求3所述的電致發光有機晶體管，其特征在于所述雙極性有機半導體層的厚度在40nm與100nm之間。

5.如權利要求1所述的電致發光有機晶體管，其特征在于所述雙極性有機半導體選自包括以下材料的組：四苯晶體、低聚噻吩、寡聚芴、低聚噻吩的嘧啶衍生物、低聚噻吩的羰基衍生物、在α和ω位置用烷基和全氟鏈不對稱代替的四噻吩、具有噻唑核的低聚噻吩、聚芴的共聚物、聚(對亞苯基-亞乙烯基)的衍生物、聚(9,9-二辛基芴)的衍生物及聚(9,9-二辛基芴-苯并噻)的衍生物。

6.如權利要求5所述的電致發光有機晶體管，其特征在于所述雙極性有機半導體選自包括以下材料的組：低聚噻吩的羰基衍生物、芴的衍生物和聚(對亞苯基-亞乙烯基)的衍生物。

7.如權利要求1所述的電致發光有機晶體管，其特征在于所述漏極和源極電極是由以下材料形成的，所述材料選自包括以下材料的組：氧化銦錫（ITO）、金、銅、銀、鋁、鈣、鎂、鉻、鐵和與聚(苯乙烯磺酸)結合的聚乙撐二氧噻吩（PEDOT:PSS）。

8.如權利要求1所述的電致發光有機晶體管，其特征在于所述控制電極是由選自包括氧化銦錫（ITO）、金、銅、銀和鋁的組中的至少一種材料構成的。

9.如權利要求1所述的電致發光有機晶體管，其特征在于所述第一和第二介電材料層是由以下材料形成的，所述材料選自包括以下材料的組：二氧化硅、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、氧化鋅、氧化鋁、二氧化鋯、二氧化鉿、含氟聚合物、聚乙烯醇（PVA）和聚苯乙烯（PS）。