[發明專利]半導體裝置的制造方法及半導體裝置

有效

• 申請號: 201280037004.6
• 申請日: 2012-07-27
• 公開（公告）號: CN103733321B
• 公開（公告）日: 2016-11-30
• 發明（設計）人: 谷本智;圖子祐輔;村上善則;井關隆士;高森雅人;佐藤伸二;松井康平
• 申請（專利權）人: 日產自動車株式會社;住友金屬礦山株式會社;三墾電氣株式會社;富士電機株式會社
• 主分類號: H01L21/52
• 分類號: H01L21/52;B23K35/28;C22C18/04
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

1.一種半導體裝置的制造方法，其中，包括下述工序：

分別準備半導體元件、至少表面的主要元素為Cu的基板、形狀比所述半導體元件小的ZnAl共晶焊料片；

以各自的接合面彼此相對的方式配置所述半導體元件和所述基板，在該基板和半導體元件之間夾設所述ZnAl共晶焊料片；

一邊對夾設在所述基板和所述半導體元件之間的所述ZnAl共晶焊料片施加載荷一邊進行升溫，使所述ZnAl共晶焊料片融解而形成ZnAl焊料層；以及

一邊對所述ZnAl焊料層施加載荷一邊進行降溫。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，

所述降溫的工序，包含在剛好低于所述ZnAl焊料層的共析溫度的溫度下保溫或逐漸冷卻的工序。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置的制造方法，其中，

所述載荷大于或等于0.1g/mm²。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中，

所述ZnAl共晶焊料片的最大融解溫度，大于或等于所述ZnAl共晶焊料片的液相線溫度，且小于或等于420℃。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其中，

保持為所述最大融解溫度的時間小于或等于5分鐘。

6.一種半導體裝置，其在半導體元件和基板之間夾持有ZnAl焊料層，其中，

共晶相組織在所述ZnAl焊料層整體中所占的含有率小于或等于20%。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其中，

所述半導體元件，是以包含碳化硅（SiC）、氮化稼（GaN）、金剛石（C）在內的寬帶隙半導體為基體的半導體元件。