[發明專利]形成含石墨烯的開關的方法

有效

• 申請號: 201280036869.0
• 申請日: 2012-06-27
• 公開（公告）號: CN103703563A
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發明（設計）人: 古爾特杰·S·桑胡
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 孫寶成

1.一種形成開關的方法，其包括：

在基座上方形成底部電極；

直接在所述底部電極上方形成第一導電結構；

沿所述第一導電結構的側壁形成介電材料，所述第一導電結構和所述介電材料一起覆蓋所述底部電極的第一部分且使所述底部電極的第二部分保持暴露；

形成石墨烯結構，其與所述底部電極的暴露部分電耦合、沿著所述介電材料且通過所述介電材料與所述第一導電結構橫向隔開；

在所述石墨烯結構與所述第一導電結構相對的一側上形成第二導電結構，所述第二導電結構直接位于所述底部電極上方；

在所述石墨烯結構上方形成頂部電極；所述底部電極與所述第一和第二導電結構中的一者電耦合，所述頂部電極與所述第一和第二導電結構中的另一者電耦合；且

其中所述第一和所述第二導電結構經配置以跨所述石墨烯結構提供電場。

2.根據權利要求1所述的方法，其中在所述底部電極上方的開口中形成所述開關，且其中所述開關為形成于所述底部電極上方的所述開口中的唯一開關。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述開關為形成于一對底部電極上方的共同開口中的一對開關中的一者。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述開關為形成于多個底部電極上方的共同開口中的多個開關中的一者。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述石墨烯結構的所述形成包含：

沿所述介電材料形成晶種材料；和

沿所述晶種材料外延生長石墨烯。

6.一種形成開關的方法，其包含：

在底部電極上方形成第一和第二導電結構且使所述第一和第二導電結構彼此橫向隔開；所述第一導電結構直接接觸所述底部電極，且所述第二導電結構不直接接觸所述底部電極；

沿所述第一和第二導電結構中的一者的側壁形成介電襯墊，所述底部電極的一部分在形成所述介電襯墊之后暴露；

沿所述介電襯墊形成石墨烯結構，所述石墨烯結構與所述底部電極電耦合；

在所述石墨烯結構與所述第一和第二導電結構上方形成頂部電極；所述頂部電極與所述石墨烯結構電耦合，直接接觸所述第二導電結構，且不直接接觸所述第一導電結構；且

其中所述第一和第二導電結構經配置以跨所述石墨烯結構提供電場。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述第一和第二導電結構同時形成。

8.根據權利要求6所述的方法，其中所述第一和第二導電結構相對于彼此循序形成。

9.根據權利要求6所述的方法，其中在形成所述石墨烯結構之后于所述底部電極上方保留開口；所述開口在所述石墨烯結構與所述介電襯墊相對的一側上，所述方法進一步包含在形成所述頂部電極之前用介電材料填充所述開口。

10.根據權利要求6所述的方法，其中所述介電襯墊包含第二介電材料，且所述方法進一步包含：

在所述底部電極上方形成第一介電材料；

形成延伸穿過所述第一介電材料到達所述底部電極的開口，所述開口具有沿橫截面的一對側壁；

沿所述側壁中的一者的底部區域形成介電隔板；以及

沿所述開口的所述側壁形成導電襯墊，所述襯墊中的一者為所述第一導電結構，且所述襯墊中的另一者為所述第二導電結構；所述第二導電結構通過所述介電隔板與所述底部電極隔開。

11.根據權利要求10所述的方法，其中所述導電襯墊的所述形成包含：

沿所述開口的所述側壁且跨所述開口的底部沉積導電材料；和

各向異性蝕刻所述導電材料。

12.根據權利要求10所述的方法，其中所述介電隔板為第一介電隔板，且所述方法進一步包含在形成所述頂部電極之前用第二介電隔板替代所述導電襯墊的所述一者的頂部部分。