[發明專利]多柱電子束設備和方法

有效

• 申請號: 201280036744.8
• 申請日: 2012-06-26
• 公開（公告）號: CN103703536A
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發明（設計）人: 哈什亞·沙德曼;羅伯特·G·海恩斯;克里斯多夫·M·西爾斯;邁赫蘭·納賽爾-古德西
• 申請（專利權）人: 科磊股份有限公司
• 主分類號: H01J37/06
• 分類號: H01J37/06;H01J37/10
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 張世俊

1.一種設備，其包括：

電磁體，其經布置以在區中提供大規模磁場；以及

多個電子束柱的陣列，所述多個電子束柱的陣列是使用穿過磁性材料的孔陣列而形成于所述區中。

2.根據權利要求1所述的設備，其中所述區在所述電磁體的至少兩個磁極塊之間。

3.根據權利要求2所述的設備，其中所述孔陣列穿過所述至少兩個磁極塊之間的通量旁路板。

4.根據權利要求1所述的設備，其進一步包括：

所述電磁體的第一和第二極塊，其中所述孔陣列穿過所述第一極塊。

5.根據權利要求1所述的設備，其進一步包括：

可移動臺，其經配置以將具有實質上有限厚度的晶片、掩模、EUV掩模或其它平坦襯底固持在所述多個電子束柱的陣列下方。

6.根據權利要求1所述的設備，其中所述多個電子束柱中的電子束柱包括形成于孔內的多個電極。

7.根據權利要求6所述的設備，其中所述電子束柱包括包含發射器和提取孔口的電子源，所述提取孔口具有施加于其的電壓以便從發射器提取電子。

8.根據權利要求6所述的設備，其中所述電子束柱進一步包括位于所述孔與所述多個電極之間的電阻性襯里。

9.根據權利要求6所述的設備，其中所述電子束柱進一步包括：

柱孔口，其使所述柱的上部部分與所述柱的下部部分分離，

其中所述多個電極包含位于所述柱的所述上部部分中的槍透鏡電極和接地電極，

其中所述槍透鏡電極經配置以將電子匯聚成電子束，且

其中所述接地電極經配置以使所述電子束居中，使得所述電子束行進通過所述柱孔口。

10.根據權利要求9所述的設備，其中所述多個電極進一步包含位于所述柱的所述下部部分中的至少一個輔助電極和提取器電極，進一步其中所述至少一個輔助電極經配置以提供所述電子束的第一偏轉，且所述提取器電極經配置以提供所述電子束的第二偏轉。

11.根據權利要求9所述的設備，其中所述電子束柱進一步包括檢測器，所述檢測器經配置以檢測二次電子且經配置以通過限制分叉束軌跡來界定所述束。

12.根據權利要求9所述的設備，其中所述電子束柱進一步包括消隱板，所述消隱板經配置以被致動來阻擋所述電子束進入所述柱的所述下部部分。

13.一種產生電子束陣列的方法，所述方法包括：

使用至少兩個磁極在區中產生大規模磁場；以及

使用柱陣列產生電子束陣列，所述柱陣列是使用穿過定位于所述區中的磁性材料的孔而形成。

14.根據權利要求13所述的方法，其中使用形成于穿過所述磁性材料的孔內的多個電極來產生所述電子束陣列的電子束。

15.根據權利要求12所述的方法，其進一步包括：

在可移動臺上將制成的襯底固持在所述柱陣列下方。

16.根據權利要求15所述的方法，其進一步包括：

使用所述柱陣列的柱內的檢測器來檢測從半導體晶片發射的二次電子。

17.根據權利要求15所述的方法，其進一步包括：

選擇性地消隱所述電子束陣列的電子束以便將圖案寫入到所述制成的襯底的層上。

17.一種電子束柱陣列，其包括：

磁性材料，其定位于大規模磁場中；

穿過所述磁性材料的孔陣列，其中所述孔陣列中的每一孔具有第一端和第二端；

電子源陣列，其中所述電子源陣列中的每一源經配置以將電子發射到所述孔陣列中的對應孔的所述第一端中；以及

多個電極，其布置于所述孔陣列的每一孔內。

18.根據權利要求17所述的電子束柱陣列，其中在每一孔的所述第一端處的開口的大小不同于在所述第二端處的開口的大小。

19.根據權利要求17所述的電子束柱陣列，其中所述磁性材料包括位于形成所述大規模磁場的兩個極之間的通量旁路板。

20.根據權利要求17所述的電子束柱陣列，其中所述磁性材料包括形成所述大規模磁場的兩個極中的一者。