[發明專利]銀微顆粒以及含有該銀微顆粒的導電性膏、導電性膜和電子器件

有效

• 申請號: 201280036601.7
• 申請日: 2012-07-26
• 公開（公告）號: CN103702786A
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發明（設計）人: 山本洋介;石谷誠治;巖崎敬介;大杉峰子;森井弘子;林一之;柿原康男;飯田哲二
• 申請（專利權）人: 戶田工業株式會社
• 主分類號: B22F1/00
• 分類號: B22F1/00;B22F1/02;B22F9/24;H01B1/00;H01B1/22;H01B5/00;H01B5/02
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種銀微顆粒，其特征在于：

通過X射線衍射得到的米勒指數（111）和（200）的微晶直徑之比[微晶直徑D_X（111）／微晶直徑D_X（200）]為1.40以上。

2.如權利要求1所述的銀微顆粒，其特征在于：

平均粒徑（D_SEM）為100nm以上且小于1μm。

3.如權利要求1或2所述的銀微顆粒，其特征在于：

米勒指數（111）的微晶直徑D_X（111）為20nm以下。

4.如權利要求1～3中任一項所述的銀微顆粒，其特征在于：

米勒指數（200）的微晶直徑D_X（200）為14nm以下。

5.如權利要求1～4中任一項所述的銀微顆粒，其特征在于：

銀微顆粒的顆粒表面由選自數均分子量1000以上的高分子類分散劑中的1種或2種以上包覆。

6.如權利要求1所述的銀微顆粒，其特征在于：

平均粒徑（D_SEM）為30nm以上且小于100nm。

7.如權利要求1或6所述的銀微顆粒，其特征在于：

米勒指數（111）的微晶直徑D_X（111）為25nm以下。

8.如權利要求1、6和7中任一項所述的銀微顆粒，其特征在于：

米勒指數（200）的微晶直徑D_X（200）為15nm以下。

9.如權利要求1和6～8中任一項所述的銀微顆粒，其特征在于：

銀微顆粒的顆粒表面由分子量10000以上的高分子化合物包覆。

10.一種導電性膏，其特征在于：

含有權利要求1～9中任一項所述的銀微顆粒。

11.一種導電性膜，其特征在于：

使用權利要求10所述的導電性膏形成。

12.一種電子器件，其特征在于：

具有權利要求11所述的導電性膜。