[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201280036061.2
• 申請日: 2012-07-31
• 公開（公告）號: CN103703565A
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發明（設計）人: 川上剛史;中木義幸;藤井善夫;渡邊寬;中田修平;海老原洪平;古川彰彥
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/12;H01L29/47;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/868;H01L29/872
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 于麗

1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

第2導電類型的活性區域（2），形成于第1導電類型的半導體層表層，構成半導體元件；

第2導電類型的多個第1雜質區域（11～16），在所述半導體層表層，以俯視時分別包圍所述活性區域（2）的方式，相互離開地形成；以及

第2導電類型的第2雜質區域（18），被埋入到所述半導體層表層，連接多個所述第1雜質區域（11～16）的底部中的至少兩個。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第2雜質區域（81）與所述活性區域（2）連接。

3.根據權利要求1或者2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第2雜質區域（18）與所述活性區域（2）的底部連接。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第2雜質區域（30）未與所述活性區域（2）連接。

5.根據權利要求1或者2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第2雜質區域（18）與多個所述第1雜質區域（11～16）的底部的全部連接。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第2雜質區域（18）被形成至俯視時從最外側包圍所述活性區域（2）的所述第1雜質區域（16）的俯視時的更外側。

7.根據權利要求1或者2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第2雜質區域（18）的雜質濃度低于所述第1雜質區域（11～16）。

8.根據權利要求1或者2所述的半導體裝置，其特征在于，

還具備第2導電類型的多個第3雜質區域（25～27），該多個第3雜質區域（25～27）相互離開地埋入到所述半導體層表層，俯視時分別包圍所述第1雜質區域（11～16）。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第3雜質區域（25～27）被埋入到與所述第2雜質區域（18）相同的深度。

10.根據權利要求1或者2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第1雜質區域（11～16）形成于所述半導體層表面。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置，其特征在于，

在最內側的所述第1雜質區域（11）上，隔著絕緣膜（32），具備與所述活性區域（2）連接的布線層（33）。

12.根據權利要求1或者2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第1雜質區域（40～46）被埋入到所述半導體層表層而被形成。

13.根據權利要求12所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第1雜質區域（40～46）被埋入到與所述第2雜質區域（51）相同的深度而被形成。

14.根據權利要求1或者2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體元件是肖特基勢壘二極管，所述活性區域的端部是配置于肖特基電極的端部的第2導電類型的注入層（60）。