[發(fā)明專利]增材構(gòu)造

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280035939.0
• 申請日: 2012-05-31
• 公開（公告）號: CN103858060A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 詹森·布萊爾·瓊斯;格雷戈里·約翰·吉本斯
• 申請（專利權(quán)）人: 華威大學(xué)
• 主分類號: G03G15/16
• 分類號: G03G15/16;G03G15/22;B41J3/407;B29C67/00
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 余剛;張英

1.一種用于構(gòu)造多個(gè)層以形成構(gòu)造疊層體的增材構(gòu)造方法，包括：

向轉(zhuǎn)印介質(zhì)提供帶電顆粒以沉積在連續(xù)的覆蓋層中，從而提供所述構(gòu)造疊層體，

將所述連續(xù)的覆蓋層的一層帶電顆粒沉積在襯底上，以提供第一層，

減小所述第一層的殘余電荷對于后續(xù)沉積在所述第一層上的第二層的排斥效果，并且

將所述第二層的帶電顆粒從所述轉(zhuǎn)印介質(zhì)沉積到所述第一層上，

執(zhí)行排斥效果的減小，以防止由連續(xù)沉積的層產(chǎn)生殘余電荷的累積，并提供這些層的均勻沉積。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，包括施加電場以減小所述沉積的層上的殘余電荷的排斥效果。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，包括調(diào)節(jié)所述電場的布置以對所述連續(xù)沉積的層保持排斥效果的減小。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，包括通過施加電位差以產(chǎn)生所述電場，并根據(jù)沉積的層的數(shù)量和/或厚度增加所述電位差，來調(diào)節(jié)所述電場的布置。

5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的方法，包括通過在所述第一層和所述第二層之間引入導(dǎo)電層，來調(diào)節(jié)所述電場的布置。

6.根據(jù)前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法，其中，通過在沉積所述第二層之前使所述第一層放電，來克服所述排斥效果。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，包括通過施加導(dǎo)電涂層使所述第一層放電。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述導(dǎo)電涂層執(zhí)行層固定步驟。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，包括通過施加與所述殘余電荷的極性相反的帶電顆粒的另一層，使所述第一層放電。

10.根據(jù)前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法，包括，將離子從離子源引導(dǎo)至所述第一層上，所述離子的極性與所述殘余電荷的極性相反，以減小所述排斥效果。

11.一種用于構(gòu)造多個(gè)層以形成構(gòu)造疊層體的增材構(gòu)造方法，所述方法包括：

在第一電位的導(dǎo)電元件和第二電位的離子源之間產(chǎn)生可變的電位差；

在所述導(dǎo)電元件和所述離子源之間產(chǎn)生電場，其中，使所述電場通過所述構(gòu)造疊層體，到達(dá)所述構(gòu)造疊層體的最靠近轉(zhuǎn)印介質(zhì)的最近表面；

使電荷（Q）從所述離子源累積在所述構(gòu)造疊層體的所述最近表面上；并且

將沉積材料從所述轉(zhuǎn)印介質(zhì)轉(zhuǎn)印至所述最近表面上，其中，所述構(gòu)造疊層體的所述最近表面處的電場的強(qiáng)度是可控的，以在所述最近表面上實(shí)現(xiàn)所述沉積材料的均勻轉(zhuǎn)印。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，進(jìn)一步包括，改變所述導(dǎo)電元件和所述離子源之間的電位差電壓，以當(dāng)層的數(shù)量增加時(shí)，增加所述最近表面處的電場的強(qiáng)度。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，進(jìn)一步包括：

將所述導(dǎo)電元件保持在所述第一電位；并且

改變所述離子源的所述第二電位，以改變所述電位差。

14.根據(jù)權(quán)利要求11至13中任一項(xiàng)所述的方法，進(jìn)一步包括在轉(zhuǎn)印步驟之前，使所述導(dǎo)電元件與所述第一電位分離。

15.根據(jù)權(quán)利要求11至14中任一項(xiàng)所述的方法，進(jìn)一步包括使轉(zhuǎn)印至自由表面的所述沉積材料熔化。

16.根據(jù)權(quán)利要求11至15中任一項(xiàng)所述的方法，進(jìn)一步包括：

引入中間導(dǎo)電平面作為所述構(gòu)造疊層體中的一層；

使所述中間導(dǎo)電平面與導(dǎo)電板耦接，以增加所述電場穿透所述構(gòu)造疊層體的深度。

17.根據(jù)權(quán)利要求11至16中任一項(xiàng)所述的方法，進(jìn)一步包括：

引入中間導(dǎo)電平面作為所述構(gòu)造疊層體中的一層；

對所述中間導(dǎo)電平面電容充電，以增加所述電場穿透所述構(gòu)造疊層體的深度。

18.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的方法，進(jìn)一步包括使所述中間導(dǎo)電平面絕緣。

19.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的方法，進(jìn)一步包括在所述構(gòu)造疊層體中沉積多個(gè)中間導(dǎo)電平面；

對所述多個(gè)中間導(dǎo)電平面中的至少一個(gè)進(jìn)行電容充電；并且

使所述多個(gè)中間導(dǎo)電平面中的至少一個(gè)與導(dǎo)電元件耦接，以增加所述電場的穿透深度。