[發(fā)明專利]前饋有源解耦無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201280034605.1 | 申請日： | 2012-05-18 |
| 公開（公告）號： | CN103650338A | 公開（公告）日： | 2014-03-19 |
| 發(fā)明（設計）人： | B·P·金斯堡;V·B·倫塔拉;S·拉馬斯瓦米;B·赫龍;E·石 | 申請（專利權(quán)）人： | 德克薩斯儀器股份有限公司 |
| 主分類號： | H03F3/04 | 分類號： | H03F3/04;G05F1/00 |
| 代理公司： | 北京紀凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245 | 代理人： | 趙蓉民 |
| 地址： | 美國德*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 有源 | ||
技術(shù)領域
本發(fā)明主要涉及調(diào)節(jié)電源，并且更具體地，涉及占空比系統(tǒng)中的電源瞬態(tài)補償。
背景技術(shù)
轉(zhuǎn)向圖1，能夠看到常規(guī)集成電路（IC）102的一個例子。這個IC102主要包括輸入電路（對于這個例子，輸入電路是低噪聲放大器或LNA108），其具有大時變電流消耗。如這個例子所示，LNA108由NMOS晶體管Ql和電阻器Rl表示，耦合在兩個電源導軌VDDA與VSS（其耦合到電源106）之間，并接收使能信號EN。通常，使能信號EN由脈沖流（其通常是每10ns中1ns）組成。在工作過程中，LNA108（以及其他輸入電路）能夠受到由于電阻性電壓降造成的損耗以及封裝電感104造成的電壓變化，并且因為這些封裝電感104，LNA108（或其他電路）應當被啟動比使能信號EN提供的非常短的時間段（即，10ns）長的一段時間以允許電源瞬態(tài)解決。電容器C1通常被用于執(zhí)行靜態(tài)解耦，但是，對于許多應用，這是不夠的。因此，需要一種方法和/或裝置執(zhí)行有效解耦。
一些其他常規(guī)電路如下：美國專利號6414553；美國專利號7084706；美國專利號7839129；美國預授權(quán)專利公開號2009/0066162；以及Pant等人在2008年IEEE?Intl.Solid-State?Circuits?Conf（國際固態(tài)電路研討會）上發(fā)表的“A?Charge-Injection?Based?Active-Decoupling?Technique?for?Inductive-Supply-Noise?Suppression（一種用于電感電源噪聲抑制的基于電荷注入的有源解耦技術(shù)）”（技術(shù)論文摘要，第416、417和624頁，2008年2月3-7日）。
發(fā)明內(nèi)容
一個實施例，相應地，提供了一種裝置。所述裝置包括第一電源導軌；第二電源導軌；第三電源導軌；耦合到第三電源導軌的電流源；耦合在第一與第二電源導軌之間的第一電容器；耦合到第一與第三電源導軌中的至少一個的第二電容器；耦合在第一與第二電源導軌之間并接收使能信號的輸入電路；具有第一被動電極、第二被動電極以及控制電極的第一晶體管，其中第一晶體管的第二被動電極耦合到第二電源導軌，并且其中所述第一晶體管的控制電極接收使能信號；和耦合到第三電源導軌、第一電源導軌以及第一晶體管的第一被動電極的電流鏡。
在一個實施例中，電流鏡像進一步包括：耦合在第三電源導軌與第一晶體管的第一被動電極之間的第二晶體管，其中所述第二晶體管具有控制電極，并且其中所述第二晶體管是二極管連接的；和具有控制電極的第三晶體管，其中所述第三晶體管耦合在第一與第三電源導軌之間，并在其控制電極耦合到第二晶體管的控制電極。
在一個實施例中，第二電容器耦合在第二與第三電源導軌之間。
在一個實施例中，電流源進一步包括可調(diào)節(jié)的電流源。
在一個實施例中，所述裝置進一步包括耦合到第一和第三電源導軌的低壓降穩(wěn)壓器（LDO）。
在一個實施例中，所述輸入電路進一步包括低噪聲放大器（LNA）。
在一個實施例中，第二電容器耦合在第三晶體管與第一電源導軌之間。
在一個實施例中，所述裝置進一步包括耦合在第三晶體管與第二電源導軌之間的開關，其中所述開關由使能信號的反轉(zhuǎn)控制。
在一個實施例中，提供一種裝置。所述裝置包括第一電源導軌；第二電源導軌；第三電源導軌；耦合到第三電源導軌的電流源；耦合在第一與第二電源導軌之間的第一電容器；耦合到第一與第三電源導軌中的至少一個的第二電容器；耦合在第一與第二電源導軌之間并接收使能信號的輸入電路；第一MOS晶體管，其在其源極耦合到第二電源導軌并在其柵極接收使能信號；和耦合到第三電源導軌、第一電源導軌以及第一晶體管的第一被動電極的電流鏡。
在一個實施例中，所述電流鏡進一步包括：第二MOS晶體管，其在其源極耦合到第三電源導軌，并在其柵極和源極耦合到第一MOS晶體管的漏極；和第三MOS晶體管，其耦合在所述第一與第三電源導軌之間，并在其柵極耦合到第二MOS晶體管的柵極。
在一個實施例中，第二電容器耦合在第三MOS晶體管的漏極與第一電源導軌之間。
在一個實施例中，所述裝置進一步包括耦合在第三MOS晶體管的源極與第二電源導軌之間的開關，其中所述開關由使能信號的反轉(zhuǎn)控制。
在一個實施例中，第一MOS晶體管進一步包括NMOS晶體管，并且其中所述第二和第三晶體管進一步包括PMOS晶體管。
在一個實施例中，第一MOS晶體管進一步包括PMOS晶體管，并且其中所述第二和第三晶體管進一步包括NMOS晶體管。
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