[發明專利]環形電離源

有效

• 申請號: 201280034396.0
• 申請日: 2012-06-15
• 公開（公告）號: CN103748462B
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: D·萊文;V·謝爾蓋耶夫;V·邦達倫科;B·埃塔曼初克;Q·邊;H·扎列斯基;M·皮涅爾司基;S·菲爾德山;R·杰克遜
• 申請（專利權）人: 蒙特利爾史密斯安檢儀公司
• 主分類號: G01N27/68
• 分類號: G01N27/68;H01J27/14;H01J49/12;H01J49/40
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司11283
• 代理人: 陳瀟瀟,肖冰濱

1.一種光譜儀，其包括：

a)壁，其形成電離室；和

b)包括電線的電離源，其為一個電連接件和另一個電連接件之間的環形，并被布置在電離室中，所述電離源被構造成在一個所述電連接件和另一個所述電連接件之間通過所述電線傳導電流以加熱所述電線并展示在所述電離源與所述壁之間的電勢差以形成電暈。

2.根據權利要求1所述的光譜儀，其中所述光譜儀包括被構造成在環境壓力下操作的離子遷移率光譜儀。

3.根據權利要求2所述的光譜儀，其中所述電離源包括環形電線，其被構造成沖擊鄰近所述環形電線的中點的電暈。

4.根據權利要求2所述的光譜儀，其中所述電離源被構造成在約1000攝氏度(1000℃)下沖擊電暈。

5.根據權利要求2所述的光譜儀，其中所述電離源包括由以下中的至少一種所形成的電線：鉑；銠；鎳鉻合金；銥；鎢；鉭；鉑-銠合金；鉑-銠-銥合金；鉑-銥合金或鐵-鉻-鋁合金。

6.根據權利要求2所述的光譜儀，其中所述電線被構造成從一個所述電連接件傳遞電到另一個所述電連接件。

7.根據權利要求2所述的光譜儀，其中所述電離源被構造成在近似所述電離源的橙色熱溫度下沖擊電暈。

8.根據權利要求1所述的光譜儀，其中所述電流包括交流電或直流電。

9.根據權利要求1所述的光譜儀，其中所述電線是成形為線圈。

10.根據前述任一項權利要求所述的光譜儀，其中所述壁能夠導電。

11.根據權利要求1所述的光譜儀，其中所述電線的直徑在20微米與80微米之間(20μm至80μm)。

12.一種離子遷移率光譜儀，其包括：

a)壁，其由導電材料形成，其界定電離室；和

b)電線，其在電連接件之間呈環形以通過在所述電連接件之間的所述電線傳導交流電和直流電中至少一者以加熱所述電線，其中所述電連接件與所述壁電絕緣，所述電線被構造成沿所述電線的長度形成電暈，以電離來自目標樣品的分子，其中所述壁被構造成帶有電荷以從所述電暈吸引離子朝向所述分子。

13.根據權利要求12所述的離子遷移率光譜儀，其中所述電線被構造成沿所述電線的中點比在鄰近所述電連接件的所述電線的末端更熱。

14.根據權利要求12所述的離子遷移率光譜儀，其中所述電線的直徑是在20微米與80微米之間(20μm至80μm)且所述電線的長度是在1毫米至100毫米之間(1mm至100mm)長。

15.根據權利要求12所述的離子遷移率光譜儀，其中所述離子遷移率光譜儀被構造成對所述電線施加約0.7安培的電流以引起所述電暈。

16.根據權利要求12所述的離子遷移率光譜儀，其中所述電線被構造成在約1000攝氏度(1000℃)下形成所述電暈。

17.根據權利要求12所述的離子遷移率光譜儀，其中所述離子遷移率光譜儀被構造成通過所述電線傳遞交流電或直流電中的至少一種以加熱所述電線。

18.一種光譜儀，其包括：

a)電離室；和

b)電離源，其被布置在所述電離室中，其中所述電離源為在電連接件之間呈環形的電線且其中所述電離源可傳導所述電連接件之間的電流以加熱所述電線且其中可在所述電離源和壁之間形成電勢差以形成電暈。