[發明專利]制造碳化硅的方法

有效

• 申請號: 201280033392.0
• 申請日: 2012-07-03
• 公開（公告）號: CN103827029A
• 公開（公告）日: 2014-05-28
• 發明（設計）人: B.阿萊奧納爾;S.迪皮埃羅;M.施瓦茨
• 申請（專利權）人: 歐洲耐火材料制品公司
• 主分類號: C01B31/36
• 分類號: C01B31/36
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 黃念;林森

1.制造SiC的方法，其中減少污染氣體的排放，包括通過電加熱在由碳-基源和硅源組成的原材料混合物中心處的電阻器以便在高于1500℃的溫度下引發該簡化反應，由此用碳還原硅氧化物，其中，碳-基源選自焦炭，尤其是石油焦，硅源尤其是純度大于95%SiO₂的二氧化硅：

SiO₂?+?3C?=?SiC?+?2CO????????????（1），

所述方法的特征在于所述碳-基源預先經受除去所含氫的處理，以使其元素氫含量（EHWC）低于2重量%。

2.如權利要求1所要求保護的制造SiC的方法，包括下列步驟：

-?將由選自焦炭的碳-基源，其元素氫含量（EHWC）大于2重量%，與具有大于95%的SiO₂的純度的二氧化硅組成的原材料混合，

-?通過位于所屬原材料混合物中心處的電阻器電加熱所述原材料混合物至高于1500℃的溫度以便在高于1500℃的溫度按照該簡化反應引發通過碳的氧化硅還原反應：

SiO₂?+?3C?=?SiC?+?2CO????????????（1），

所述碳-基源在其與二氧化硅混合前經受用于除去所含氫的處理，以使其元素氫含量（EHWC）低于2重量%。

3.如權利要求1或2所要求保護的方法，其中該焦炭的殘余元素氫含量小于1重量%，優選小于0.5重量%。

4.如前述權利要求之一所要求保護的方法，其中該焦炭的殘余元素氫含量為0.1%至0.01%，優選為0.05%至0.01%。

5.如前述權利要求之一所要求保護的方法，其中電阻器的尺寸，尤其是其橫截面和/或其長度，根據脫氫的碳-基源的電阻率來構造。

6.如前述權利要求之一所要求保護的方法，其中氫去除處理在不為氧化性或氧化性小的氣氛中進行，以使得同時除去按干產物計算的少于5重量%，優選少于1重量%的固定碳。

7.如前述權利要求之一所要求保護的方法，其中氫去除處理是在惰性氣氛下在電爐中焦炭的受控熱處理。

8.如權利要求1至6之一所要求保護的方法，其中該氫去除處理是1000℃至1350℃在燃燒爐中，尤其是旋轉燃燒爐中的熱處理。

9.如前述權利要求所要求保護的方法，其中該氫去除處理是在1250℃至1350℃在燃燒爐中的熱處理。

10.如權利要求8或9所要求保護的方法，其中該煅燒氣氛的氧分壓為小于氣體總壓力的5%。

11.如前述權利要求所要求保護的方法，其中該煅燒氣氛的氧分壓為小于氣體總壓力的1%。

12.如權利要求8至11之一所要求保護的方法，其中來自于氫去除步驟的氣體至少部分用作所述燃燒爐用的燃料。

13.如前述權利要求之一所要求保護的方法，其中在位于艾其遜爐的電阻器附近的反應混合物之上，將附加的覆蓋裝置放置就位，所述覆蓋裝置連接到用于收集合成SiC過程中排放的氣態產物的裝置上。

14.如前述權利要求所要求保護的方法，其中處理收集的氣體，尤其通過燃燒處理收集的氣體。