[發明專利]二噻吩并鄰苯二甲酰亞胺半導體聚合物

有效

• 申請號: 201280033182.1
• 申請日: 2012-07-04
• 公開（公告）號: CN103635505A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 野口博義;F·德茲;A·K·米什拉;S·瓦伊迪耶納森;M·明-蒂恩
• 申請（專利權）人: 巴斯夫歐洲公司
• 主分類號: C08G61/12
• 分類號: C08G61/12;C09K11/00;H01B1/00;H01L51/00
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 劉娜;劉金輝

本發明涉及二噻吩并鄰苯二甲酰亞胺半導體聚合物以及包含一種或多種該聚合物的制造品。

新一代光電器件如有機薄膜晶體管(OTFT)、有機發光晶體管(OLET)、有機發光二極管(OLED)、可印刷電路、有機光伏(OPV)器件、電化學電容器和傳感器在作為其有源組件的有機半導體上制成。為了能夠獲得晶體管/電路操作所需高器件效率如大的電荷載流子遷移率(μ)，或者獲得OLED/OPV操作所必需的有效激子形成/分裂，希望可以得到p-型和n-型有機半導體材料二者。此外，這些基于有機半導體的器件應在環境條件下呈現令人滿意的穩定性且應可以成本有效方式加工。

幾種p-和n-通道分子半導體已經實現可接受的器件性能和穩定性。例如，基于某些并苯類(acenes)、低聚噻吩(p-通道)和苝類(n-通道)的OTFT可以在環境條件下顯示出大于約0.5cm²/Vs的載流子遷移率(μ)。然而，分子半導體通常沒有聚合物半導體容易加工，并且通常由于溶液粘度要求而不能經由印刷方法加工。

Zhang，M.；Tsao，H.N.；Pisula，W.；Yang，C.；Mishra，A.K.；Müllen，K.J.Am.Chem.Soc.2007，129，3472-3473描述了用于有機場效應晶體管(OFET)中的下式聚合物：

Junying?Liu，Rui?Zhang，Genevie^`ve?Sauve′，Tomasz?Kowalewski和Richard?D.McCullough，J.Am.Chem.Soc.2008，130，13167-13176描述了用于有機場效應晶體管(OFET)中的下列聚合物：

Rieger，R.；Beckmann，D.；Pisula，W.；Steffen，W.；Kastler，M.；Müllen?K.Adv.Mater.2010，22，83-86描述了用于有機場效應晶體管(OFET)中的如下聚合物：

Xiao，S；Zhou?H.；You，W.Macromolecules2008，41，5688-5696描述了用作用于光伏器件中的供體材料的如下聚合物：

Xugang?Guo，Rocio?Ponce?Ortiz，Yan?Zheng，Yan?Hu，Yong-YoungNoh，Kang-Jun?Baeg，Antonio?Facchetti和Tobin?J.Marks，J.Am.Chem.Soc.2011，133，1405-1418描述了用于有機場效應晶體管(OFET)中的如下聚合物：

然而，本領域需要新的聚合物半導體，特別是在環境條件下具有良好穩定性、加工性能和/或電荷傳輸特性的那些。

鑒于上述情況，本發明的目的是要提供能夠解決現有技術的各種缺陷和不足，包括上面所列那些缺陷和不足的半導體聚合物。本發明的目的還是要提供器件和制備方法以及這些聚合物的用途。

該目的通過可以由下式表示的聚合物解決：

其中M₁為任選取代的二噻吩并鄰苯二甲酰亞胺：

其中

X為N或C-R，

其中R為H或C_1-40烷基，

R¹在每次出現時獨立地選自H、C_1-40烷基、C_2-40鏈烯基、C_1-40鹵代烷基和單環或多環結構部分，