[發明專利]激光器

有效

• 申請號: 201280033151.6
• 申請日: 2012-07-02
• 公開（公告）號: CN103636084A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 鐘日錫
• 申請（專利權）人: 丹麥技術大學
• 主分類號: H01S5/026
• 分類號: H01S5/026;H01S5/02;H01S5/183
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 楊生平;鐘錦舜

1.一種激光器，包括：

腔25，其由在基板30上的半導體層31、10中形成的第一鏡像結構15和第二鏡像結構35限定并且被布置成支持沿著垂直于所述基板30的平面的振蕩軸的光振蕩，

第一鏡像結構15，其為在第一半導體材料層10中形成的光柵15的形式；

活性增益材料，其在所述第一鏡像結構15內被提供；以及

電接點，其用于通過所述活性增益材料汲取電流以促進激光發射，其中

用于通過所述活性增益材料施加電流的電接點被定位在如在各層的平面中所看到的所述活性增益材料的相對側上的第一鏡像結構中。

2.根據權利要求1所述的激光器，其中，所述第一半導體材料層包括III-V半導體材料。

3.根據權利要求1或2所述的激光器，其中，所述第一鏡像結構或包括周期性主動式光柵。

4.根據前述權利要求中的任一項所述的激光器，其中，所述第二鏡像結構是周期性無源光柵或包括周期性無源光柵。

5.根據前述權利要求中的任一項所述的激光器，其中，所述第一鏡像結構或所述第二鏡像結構是非周期性光柵或包括非周期性光柵，并且所述第一鏡像結構和第二鏡像結構被布置成共同地支持光場中的諧振。

6.根據前述權利要求中的任一項所述的激光器，其中，所述第二鏡像結構被提供為分布式布拉格反射器（DBR）430。

7.根據前述權利要求中的任一項所述的激光器，其中，用于通過所述活性增益材料汲取電流的電接點包括p和n摻雜接觸區層，其形成第一鏡像結構的一部分且被分別地垂直定位在所述活性增益材料層的上面和下面。

8.根據權利要求1-6中的任一項所述的激光器，其中，用于通過所述活性增益材料汲取電流的電接點包括p和n摻雜接觸區層，其形成第一鏡像結構的一部分并被橫向地定位在所述活性增益材料的相對側上。

9.根據前述權利要求中的任一項所述的激光器，其中，所述第二鏡像結構35由硅層中的周期性或非周期性折射率區形成，并且在所述硅層中形成波導，所述波導具有在第二反射鏡結構內形成或鄰接第二反射鏡結構形成的端部以促進光到波導的耦合。

10.根據前述權利要求中的任一項所述的激光器，其中，所述第一鏡像結構和/或第二鏡像結構包括在一個或兩個維度上形成光柵區的周期性或非周期性布置的穿孔。

11.根據權利要求10所述的激光器，其中，用填充介質來填充所述穿孔，使得折射率在垂直于所述振蕩軸的方向上在所述光柵區中周期性地或非周期性地改變。

12.根據權利要求10或11中的任一項所述的激光器，其中，所述增益材料在半導體材料層中，并且其中，所述增益材料并不與所述穿孔中的填充介質接觸。

13.根據權利要求10-12中的任一項所述的激光器，其中，包括增益材料的層被結構化成從而避免各區域毗鄰穿孔。

14.根據權利要求10-13中的任一項所述的激光器，其中，所述增益材料層的各部分毗鄰穿孔，但是通過沉積在穿孔中的表面上的電介質材料與所述填充介質分離。

15.根據前述權利要求中的任一項所述的激光器，其中，所述腔還包括在所述第一鏡像結構與所述第二鏡像結構之間的低折射率區，所述低折射率區包括低折射率材料。

16.根據權利要求15所述的激光器，其中，所述低折射率材料是空氣。

17.根據權利要求15或16所述的激光器，其中，所述低折射率材料具有約2或以下、諸如約1.6或以下、或者甚至諸如約1.5或以下的折射率。

18.一種提供調制激光的方法，所述方法包括：

—提供根據前述權利要求中的任一項所述的激光器；以及

—在電接點之間施加調制電壓偏置以對激光器的激光動作進行調制。

19.一種包括根據前述權利要求1-17中的任一項所述的一個或多個激光器以便基于接收到的電數據信號而生成光數據信號的光學互連。