[發(fā)明專(zhuān)利]光輸出設(shè)備和制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201280032839.2 | 申請(qǐng)日: | 2012-06-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103620664A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-03-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | H.J.科內(nèi)里森;G.根尼尼;H.H.P.戈曼斯;M.P.C.M.克里恩;M.H.W.M.范德登;L.W.G.斯托夫米;J.于 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 皇家飛利浦有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G09F13/22 | 分類(lèi)號(hào): | G09F13/22 |
| 代理公司: | 中國(guó)專(zhuān)利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 陳俊;汪揚(yáng) |
| 地址: | 荷蘭艾*** | 國(guó)省代碼: | 荷蘭;NL |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 輸出設(shè)備 制造 方法 | ||
1.一種光輸出設(shè)備,包括:
-?光源(34)陣列;
-?封裝層(32),光源陣列嵌在所述封裝層內(nèi);
-?在所述封裝層(32)中形成的腔體或區(qū)域(30)的陣列,所述腔體或區(qū)域的折射率不同于所述封裝層的折射率,其中所述腔體或區(qū)域(30)具有取決于它們對(duì)光源位置的接近度的數(shù)量密度或尺寸;并且
其中所述封裝層(32)包括具有添加物的聚合物基質(zhì),所述添加物具有比基質(zhì)低的沸點(diǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中所述添加物被適配成通過(guò)所述光源的熱量被蒸發(fā)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中所述添加物被適配成通過(guò)所述光源的光被蒸發(fā)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中所述封裝層(32)包括相分離的聚合物分散液。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中所述區(qū)域(30)包括聚合物。
6.一種制造光輸出設(shè)備的方法,包括:
-?將光源(34)陣列嵌在封裝層(32)中;
-?在所述封裝層中形成腔體或區(qū)域(30)的陣列,所述腔體或區(qū)域的折射率不同于所述封裝層(32)的折射率的,所述腔體或區(qū)域(30)具有取決于它們對(duì)光源位置的接近度的數(shù)量密度或尺寸,并且其中通過(guò)蒸發(fā)所述封裝層(32)中的添加物來(lái)形成腔體(30)的陣列,其中所述封裝層(32)包括聚合基質(zhì)并且所述添加物具有比基質(zhì)低的沸點(diǎn)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中通過(guò)所述光源(34)的熱量蒸發(fā)所述添加物。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中通過(guò)所述光源(34)的光蒸發(fā)所述添加物。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中通過(guò)外部源的光或熱量蒸發(fā)所述添加物。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中通過(guò)洗掉相分離的聚合物分散液的液體化合物來(lái)形成腔體的陣列。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中通過(guò)在光源光輸出的控制下的單體混合物的相分離來(lái)形成區(qū)域的陣列。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中形成用聚合物填充的腔體的陣列。
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