[發明專利]制造除去了碳的R?Fe?B系永久磁石合金再生材料的方法

有效

• 申請號: 201280031803.2
• 申請日: 2012-06-29
• 公開（公告）號: CN103650079B
• 公開（公告）日: 2017-11-28
• 發明（設計）人: 古澤克佳;菊川篤
• 申請（專利權）人: 日立金屬株式會社
• 主分類號: H01F41/00
• 分類號: H01F41/00;B22F9/04;C22B1/00;C22B7/00;C22B59/00;H01F1/057;H01F41/02
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所11038
• 代理人: 王永紅

技術領域

本發明涉及從R-Fe-B系永久磁石（R：Nd、Pr、Dy等稀土元素）的碎屑或漿液、使用過的磁石等產生的含碳合金，制造除去了碳的合金再生材料的方法。

背景技術

眾所周知，以Nd-Fe-B系永久磁石為代表的R-Fe-B系永久磁石，資源豐富，可用作廉價的材料，并且具有高磁特性，目前已在各個領域中使用。鑒于這種背景，R-Fe-B系永久磁石的生產廠，每天生產大量的磁石，伴隨著磁石的生產量增大，在制造工序中作為加工廢物等排出的磁石碎屑、或切削屑、或磨削屑等排出的磁石漿液等的量也增加。特別是因信息儀器的輕量化及小型化，使在此使用的磁石也小型化，加工費比率加大，制造收率也有逐年降低的傾向。因此，不廢棄制造工序中排出的磁石碎屑及磁石漿液等，如何將其再利用，已成為今后的重要技術課題。另外，從廢電器制品等如何回收使用過的磁石進行再利用也同樣是重要的技術課題。

R-Fe-B系永久磁石，一般是經過把作為原料的多種金屬以規定的比例進行配合，在真空熔融爐中進行高頻加熱，得到具有所定組成的合金材料的工序進行制造。在考慮把磁石碎屑或磁石漿液或用過的磁石等再用于磁石制造時，將這些材料直接在真空熔融爐中進行高頻加熱而得到合金再生材料，從省能量及降低成本等方面考慮是理想的，但現實并非這樣。作為其理由之一是，磁石碎屑或磁石漿液或使用過的磁石等，在磁石的制造工序中，來自使用的有機系潤滑劑的碳，含在磁石組織中，當從這些材料得到的合金再生材料制造磁石時，其中所含的碳對磁石的磁特性有不良影響。因此，磁石碎屑或磁石漿液或使用過的磁石等再用于磁石制造時，希望除去其中所含的碳。

作為從磁石碎屑或磁石漿液或使用過的磁石等含碳R-Fe-B系永久磁石合金中除去碳的方法，例如，專利文獻1中提出，用金屬鈣或氫化鈣作為還原劑，還原合金中所含的碳，變換成碳化鈣而進行除去的方法。但是，采用該方法時，由于稀土類碳化物比碳化鈣的熱力學穩定，故稀土類碳化物比碳化鈣優先生成，稀土類碳化物被大量除去，結果是再生的合金材料中的稀土元素的收率變差的問題產生。另外，專利文獻2記載了含粉末狀碳的磁石碎屑，在氧氛圍氣中，于700℃～1200℃的溫度熱處理1小時～10小時進行氧化脫碳的方法。但是，由于采用該方法進行氧化脫碳時，大量生成稀土類氧化物，為了還原生成的稀土類氧化物，需大量金屬鈣等作為還原劑，則存在成本升高的問題，以及，由于再生的合金材料中作為雜質含有的用作還原劑的金屬鈣等，對磁石的磁特性有不良影響的問題。因此，在此前提出的方法中，由于不能有效除去磁石碎屑或磁石漿液或使用過的磁石等中所含的碳，故這些材料再用于磁石制造時，為了避免制造的磁石中所含的碳量的明顯增加，實際的情況是采用，少量投入真空熔融爐，與純合金材料一起進行高頻加熱而使用的方案；以及，進行化學循環，對作為稀土元素進行回收、使用的方案。但是，在這些方案中，存在的問題是，例如，為了降低成本，即使考慮減少純合金材料的使用量，但減少的量自身仍存在一個極限的問題，以及必需考慮化學循環時排出的廢液對環境影響的問題。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1:特開昭58-73731號公報

專利文獻2:特開2003-51418號公報

發明內容

發明要解決的課題

在這里，本發明的目的是提供一種從R-Fe-B系永久磁石的碎屑或漿液、使用過的磁石等產生的含碳合金中有效除去碳，制造合金再生材料的方法。

用于解決課題的手段

本發明人等鑒于上述問題點進行悉心探討的結果是，作為R-Fe-B系各向異性焊接磁石的制造中使用的，結晶晶粒細微的，具有高磁特性的合金粉末的制造方法，對含碳的R-Fe-B系永久磁石合金進行本領域技術人員熟知的HDDR處理，完全意外地找到可從含碳的R-Fe-B系永久磁石合金有效地除去碳。

基于上述見解的本發明的制造R-Fe-B系永久磁石合金再生材料的方法，其特征在于，如權利要求1所述，通過對含碳R-Fe-B系永久磁石合金進行HDDR處理來除去碳。

另外，權利要求2記載的方法，其特征在于，在權利要求1記載的方法中，使含碳R-Fe-B系永久磁石合金的形狀為粒度是75μm～850μm的粉末。

另外，權利要求3記載的方法，其特征在于，在權利要求1記載的方法中，在氫氣氛圍氣中于600℃～900℃進行HDDR處理中的HD工序。