[發明專利]氣體阻隔性膜、氣體阻隔性膜的制造方法及電子器件

有效

• 申請號: 201280031320.2
• 申請日: 2012-06-13
• 公開（公告）號: CN103796827A
• 公開（公告）日: 2014-05-14
• 發明（設計）人: 森孝博
• 申請（專利權）人: 柯尼卡美能達株式會社
• 主分類號: B32B9/00
• 分類號: B32B9/00;B05D1/38;B05D3/06;B05D7/24;B32B5/14;B32B27/00;B32B27/16;H01L51/50;H05B33/04
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 賈成功

1.一種氣體阻隔性膜，其為在基材上層疊了2層以上的氣體阻隔層的氣體阻隔性膜，所述氣體阻隔層至少含有Si、O和N；其中，氣體阻隔層全體在厚度方向的組成分布如下：從接近基材側依次具有滿足下述(A)的組成范圍的在厚度方向上連續的20nm以上的區域、和滿足下述(B)的組成范圍的在厚度方向上連續的50nm以上的區域；

(A)在由SiOwNx表示氣體阻隔層的組成時，為w≥0.8、x≥0.3、2w＋3x≤4，

(B)在由SiOyNz表示氣體阻隔層的組成時，為0＜y≤0.55、z≥0.55、2y＋3z≤4。

2.如權利要求1所述的氣體阻隔性膜，其中，滿足(A)的組成范圍的在厚度方向上連續的區域為40nm以上且100nm以下。

3.如權利要求1或2所述的氣體阻隔性膜，其中，滿足(B)的組成范圍的在厚度方向上連續的區域為100nm以上且1.0μm以下。

4.如權利要求1～3的任一項所述的氣體阻隔性膜，其中，所述氣體阻隔層是對含有聚硅氮烷的層實施真空紫外線照射而形成了的層。

5.一種電子器件，其使用權利要求1～4的任一項所述的氣體阻隔性膜。

6.一種氣體阻隔性膜的制造方法，其為制造權利要求1～4的任一項所述的氣體阻隔性膜的方法，其中，具有以下步驟：對涂布含有聚硅氮烷的溶液而形成了的層實施真空紫外線照射來形成所述氣體阻隔層。