[發明專利]用于制備碳納米管膜的方法

無效

• 申請號: 201280031027.6
• 申請日: 2012-06-25
• 公開（公告）號: CN103635422A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 鄭多情;方閏榮;金承烈
• 申請（專利權）人: 拓普納諾斯株式會社
• 主分類號: C01B31/02
• 分類號: C01B31/02;H01B1/04;B82B3/00;B82Y40/00
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;張英

1.一種制備碳納米管膜的方法，包括：

在基板上形成包含可濕法刻蝕材料的基底粘合劑層；

在所述基底粘合劑層上形成包含碳納米管的CNT涂層；

在所述CNT涂層上形成含有可濕法刻蝕材料的頂部粘合劑層；

通過濕法刻蝕去除所述CNT涂層、所述頂部粘合劑層和所述基底粘合劑層的刻蝕目標區。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述濕法刻蝕包括：

在所述頂部粘合劑層的所述刻蝕目標區上施用刻蝕膏；以及

通過清洗去除所述刻蝕膏、施用所述刻蝕膏的所述頂部粘合劑層、所述CNT涂層以及所述基底粘合劑層。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述濕法刻蝕包括：

通過使用光刻膠，根據所述頂部粘合劑層的所述刻蝕目標區形成掩模；以及

通過向所述掩模提供刻蝕溶液或反應氣體對所述刻蝕目標區實施化學刻蝕。

4.根據權利要求2或3所述的方法，其中，所述基底粘合劑層和所述頂部粘合劑層包含陶瓷類材料和金屬氧化物材料。

5.一種制備碳納米管膜的方法，包括：

在基板上形成包含碳納米管的CNT涂層；

在所述CNT涂層上形成可濕法刻蝕的頂部粘合劑層；

通過濕法刻蝕去除所述頂部涂層的刻蝕目標區；以及

對所述CNT涂層的暴露部分實施等離子體表面刻蝕處理。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述頂部粘合劑層包含陶瓷類材料和金屬氧化物材料。

7.根據權利要求5所述的方法，其中，對所述CNT涂層的暴露部分實施的等離子體刻蝕施用氧化等離子體刻蝕處理。

8.根據權利要求5所述的方法，其中，通過濕法刻蝕去除所述頂部粘合劑層施用刻蝕膏施用方法或光刻膠方法。

9.一種制備碳納米管膜的方法，包括：

在基板上形成包含碳納米管和含有可濕法刻蝕材料的試劑的CNT涂層；

在所述CNT涂層上形成可濕法刻蝕的頂部粘合劑層；以及

通過濕法刻蝕去除所述CNT涂層和所述頂部粘合劑層的所述刻蝕目標區。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，所述試劑的濃度占CNT涂料溶液的0.001-30wt%。

11.根據權利要求9所述的方法，通過濕法刻蝕去除所述CNT涂層施用刻蝕膏施用方法或光刻膠方法。

12.一種制備碳納米管膜的方法，包括：

在基板上形成可濕法刻蝕的基底粘合劑層；

在所述基底粘合劑層上形成包含碳納米管和可濕法刻蝕的納米顆粒的CNT涂層；

在所述CNT涂層上形成可濕法刻蝕的頂部粘合劑層；以及

通過濕法刻蝕去除所述CNT涂層、所述頂部粘合劑層和所述基底粘合劑層的刻蝕目標區。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，所述納米顆粒是陶瓷納米顆粒或金屬氧化物納米顆粒。

14.根據權利要求13所述的方法，其中，所述納米顆粒是TiO₂、SiO₂、SiON、SiN_x、ZnO、SnO、Al₂O₃、ZrO₂、Y₂O₃、WO₃、V₂O₅、NiO、Mn₃O₄、MgO、La₂O₃、Fe₂O₃、Cr₂O₃、Co₃O₄、CuO、CeO₂、ITO、ATO、AZO、FTO、GZO和Sb₂O₃中的至少一種。

15.根據權利要求13或14所述的方法，其中，所述納米顆粒的尺寸是1nm至1μm。