[發(fā)明專利]使用可物理性移除的遮罩的激光及等離子體蝕刻晶片切割

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280030905.2
• 申請日: 2012-05-31
• 公開（公告）號: CN103650128A
• 公開（公告）日: 2014-03-19
• 發(fā)明（設計）人: W-S·類;S·辛格;M·R·亞拉曼希里;B·伊頓;A·庫瑪
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/301
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陸嘉

1.一種切割半導體晶片的方法，所述半導體晶片包含數(shù)個集成電路，所述方法包含以下步驟：

形成遮罩于所述半導體晶片上方，所述遮罩覆蓋且保護這些集成電路；

以激光刻劃工藝將所述遮罩予以圖案化，以提供具有間隙的圖案化遮罩，而暴露介于這些集成電路之間的所述半導體晶片的區(qū)域；

蝕刻所述半導體晶片通過所述圖案化遮罩中的這些間隙，以形成單一化集成電路；及

將所述圖案化遮罩從這些單一化集成電路分離。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，形成遮罩的步驟包含以下步驟：將薄聚合物片黏附到這些集成電路。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述薄聚合物片對于這些集成電路是透明的且所述薄聚合物片具有約等于或小于50微米的厚度。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，形成遮罩的步驟包含以下步驟：沉積光阻劑層于這些集成電路上。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，將所述圖案化遮罩從這些單一化集成電路分離的步驟包含以下步驟：通過工藝物理性地移除該圖案化遮罩，所述工藝選自由抬離工藝、滾離工藝或剝離工藝構成的群組。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，以激光刻劃工藝將所述遮罩予以圖案化的步驟包含以下步驟：以飛秒基底的激光刻劃工藝進行圖案化。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，形成遮罩于所述半導體晶片上方的步驟包含以下步驟：形成適于忍受高密度等離子體蝕刻工藝的遮罩。

8.一種切割半導體晶片的系統(tǒng)，所述半導體晶片包含數(shù)個集成電路，所述系統(tǒng)包含：

工廠界面；

激光刻劃設備，所述激光刻劃設備和所述工廠界面耦接；

等離子體蝕刻腔室，所述等離子體蝕刻腔室和所述工廠界面耦接；及

沉積腔室，所述沉積腔室和所述工廠界面耦接，所述沉積腔室被配置成形成可物理性移除的遮罩。

9.如權利要求8所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述沉積腔室被配置成將薄聚合物片黏附到這些集成電路。

10.如權利要求8所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述沉積腔室被配置成沉積光阻劑層在這些集成電路上。

11.如權利要求8所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述等離子體蝕刻腔室與所述沉積腔室被容納在群集工具上，所述群集工具和所述工廠界面耦接，所述群集工具還包含：

遮罩移除站或腔室。

12.如權利要求11所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述遮罩移除站或腔室被配置成通過工藝移除所述可物理性移除的遮罩，所述工藝選自由抬離工藝、滾離工藝或剝離工藝構成的群組。

13.一種切割半導體晶片的方法，所述半導體晶片包含數(shù)個集成電路，所述方法包含以下步驟：

形成可物理性移除的遮罩于硅基板上方，所述可物理性移除的遮罩覆蓋且保護設置在所述硅基板上的這些集成電路，這些集成電路包含二氧化硅層，所述二氧化硅層設置在低K材料層與銅層上方；

以激光刻劃工藝將所述可物理性移除的遮罩、所述二氧化硅層、所述低K材料層與所述銅層予以圖案化，以暴露這些集成電路之間的所述硅基板的區(qū)域；

蝕刻所述硅基板通過間隙，以形成單一化集成電路；及

將所述可物理性移除的遮罩從這些單一化集成電路分離。

14.如權利要求13所述的方法，其特征在于，以激光刻劃工藝將所述可物理性移除的遮罩、所述二氧化硅層、所述低K材料層與所述銅層予以圖案化的步驟包含以下步驟：在燒熔所述二氧化硅層之前燒熔所述可物理性移除的遮罩，以及在燒熔所述低K材料層與所述銅層之前燒熔所述二氧化硅層。

15.如權利要求13所述的方法，其特征在于，形成所述可物理性移除的遮罩的步驟包含以下步驟：將薄聚合物片黏附到這些集成電路。