[發明專利]用于制作高密度集成電路器件的方法

有效

• 申請號: 201280030896.7
• 申請日: 2012-05-01
• 公開（公告）號: CN103620739A
• 公開（公告）日: 2014-03-05
• 發明（設計）人: V·莫洛茲;林錫偉
• 申請（專利權）人: 美商新思科技有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種制造品，包括：

機器可讀數據存儲介質，存儲用于集成電路的設計條目，所述設計條目包括：

布圖，包括將在制作集成電路器件期間在材料層中形成的多個線；以及

將在制作所述多個線期間覆蓋在所述材料層上面形成的掩模層，所述掩模層指定中間掩模元件，所述中間掩模元件具有用于制作全部所述多個線的單個邊緣。

2.根據權利要求1所述的制造品，其中所述多個線中的線具有基本上一致的形狀。

3.根據權利要求1所述的制造品，其中所述多個線中的相鄰線在與所述掩模元件的所述單個邊緣正交的方向上相互分離。

4.根據權利要求1所述的制造品，其中所述掩模層的所述單個邊緣與所述多個線中的特定線的邊緣對準。

5.根據權利要求1所述的制造品，其中所述掩模層的所述單個邊緣具有表示全部所述多個線的形狀的輪廓。

6.根據權利要求1所述的制造品，其中所述掩模層的所述單個邊緣具有表示所述多個線中的每個線的形狀的輪廓。

7.根據權利要求1所述的制造品，其中：

所述物理布圖還包括所述材料層中的第二多個線；并且

所述掩模層具有用于制作全部所述第二多個線的第二單個邊緣。

8.一種用于制造集成電路器件的方法，所述方法包括：

提供材料層；

在所述材料層上形成第一組側壁間隔物和第二組側壁間隔物，所述第一組側壁間隔物和所述第二組側壁間隔物是以交替方式布置的，使得所述第一組中的相鄰側壁間隔物被所述第二組中的單個側壁間隔物分離，并且所述第二組中的相鄰側壁間隔物被所述第一組中的單個側壁間隔物分離；并且

處理所述第一組側壁間隔物和所述第二組側壁間隔物以在所述第一組側壁間隔物限定的位置處形成多個線。

9.根據權利要求8所述的方法，其中處理所述第一組側壁間隔物和所述第二組側壁間隔物包括使用所述第一組側壁間隔物作為蝕刻掩模來蝕刻所述材料層，由此在所述第二組側壁間隔物限定的位置處在所述材料層中形成多個溝槽以在所述材料層中形成所述多個線，所述多個線中的相鄰線被所述多個溝槽中的對應溝槽分離。

10.根據權利要求8所述的方法，其中處理所述第一組側壁間隔物和所述第二組側壁間隔物包括：

選擇性地去除所述第一組側壁間隔物以暴露所述材料層的頂表面并且在所述第二組側壁間隔物中的相鄰側壁間隔物之間留下開口；并且

在所述開口內形成第二材料層以在所述材料層的所述頂表面上形成所述多個線。

11.根據權利要求10所述的方法，其中形成所述第二材料層包括執行外延工藝。

12.根據權利要求8所述的方法，其中形成所述第一組側壁間隔物和所述第二組側壁間隔物包括：

在所述材料層上形成中間掩模元件，所述中間掩模元件具有側壁表面；

在所述中間元件的所述側壁表面上形成所述第一組的第一側壁間隔物，所述第一組的所述第一側壁間隔物具有相對的第一側壁表面和第二側壁表面；

去除所述中間元件；并且

在所述第一組的所述第一側壁間隔物的相應的所述第一側壁表面和所述第二側壁表面上形成所述第二組的第一側壁間隔物和第二側壁間隔物。

13.根據權利要求12所述的方法，其中使用光刻工藝來形成所述中間掩模元件。

14.根據權利要求12所述的方法，其中形成所述第一組側壁間隔物和所述第二組側壁間隔物還包括：

在所述第二組的所述第一側壁間隔物的側表面上形成所述第一組的第二側壁間隔物；并且

在所述第二組的所述第二側壁間隔物的側表面上形成所述第一組的第三側壁間隔物。

15.根據權利要求8所述的方法，還包括在所述材料層上形成第三組側壁間隔物和第四組側壁間隔物，所述第三組側壁間隔物和所述第四組側壁間隔物是以交替方式布置的，使得所述第三組中的相鄰側壁間隔物被所述第四組中的單個側壁間隔物分離，并且所述第四組中的相鄰側壁間隔物被所述第三組中的單個側壁間隔物分離，并且其中所述處理還包括處理所述第三組側壁間隔物和所述第四組側壁間隔物以在所述第三組側壁間隔物限定的位置處形成第二多個線。